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[参考译文] 0.9 WQXGA DMD:齐纳二极管 D1功能

Guru**** 608295 points
Other Parts Discussed in Thread: DLP9000, DLP9000X
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https://e2e.ti.com/support/dlp-products-group/dlp/f/dlp-products-forum/1239796/0-9-wqxga-dmd-zener-diode-d1-function

器件型号:DLP9000

您好、Gary、

您能详细说明齐纳二极管 D1的功能吗?

穆尼

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    您好、Muni:

    您能提供更多有关齐纳二极管位置的背景信息吗?  这在您的设计的电路板上吗?

    菲齐克斯

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    e2e.ti.com/.../DLPLCR9000_5F00_DMDBOARD_5F00_P9_5F00_WQXGA_5F00_TYPE_5F00_A_5F00_1-_2800_1_2900_.pdf

    我指的是随附原理图的第4页。

    在正常的使能关闭状态下、我们为何需要通过12 Ω 电阻器将 VOFFSET 连接到齐纳二极管。

    谢谢。

    穆尼

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    您好、Muni:

    我将 DMD 器件型号从 DLP9000X 更改为 DLP9000、以避免产生混淆。

    不过、齐纳二极管的功能是相同的。  我需要和我们的布局人员交流、希望今天晚些时候就能得到答案。  最迟在明天。

    我知道它是为了防止 V_offset 电压变为高电平、但我不确定12欧姆电阻器。

    菲齐克斯

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    尊敬的 Fizix:

    这是我的理解。 选择12欧姆将 Voffset 的输出电容器(C13, C14)上存储的能量放电得足够快。( RC 时间常量高)

    为 Vbias 和 VRESET 电源轨应用相同的12 Ω 电阻、确保其放电率与 Voffset 相同。 (以实现正确的断电顺序)。

    但我感到困惑、为什么齐纳二极管仅在 Voffset 轨上使用。

    谢谢。

    穆尼

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    [已删除]
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    您好、Muni:

    我正在尝试确认、但我的理解是、由于此电压也用于 CMOS 阵列存储器、因此需要对其进行保护、使其免受 CMOS 存储器过压的影响、因此使用齐纳二极管来防止发生这种情况。

    菲齐克斯

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    您好、Muni、

    我能够与布局人员讨论这一点、并确认我状态中保护 CMOS 的理由是需要使用保护齐纳二极管。  另外两个电压不需要齐纳二极管、但这个应该具有齐纳二极管。

    菲齐克斯

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    尊敬的 Fizix:

    感谢您的答复。 在断电期间为电源轨(Voffset、Vbias、Vreset)放置12 Ω 电阻器的原因是什么。

    谢谢。

    穆尼

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    您好、Muni:

    我相信您之前的评估是正确的、这是用于控制电源轨上大容量电容器的断电时间、但我想向设计人员证实这一点。

    菲齐克斯

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    您好、Muni、

    我能够与设计人员交谈、他们基本上证实了您的想法。   

    当 EN_OFFSET 被拉至低电平时、12 Ω 电阻器用于针对来自 Voffset、Vreset 和 Vbias 的关断电流提供一致且可重复的控制。 它们是实现此电路正确运行以及在 DMD 关断期间对电压进行正确排序的关键之一。

    菲齐克斯