[参考译文] 0.9 WQXGA DMD：齐纳二极管 D1功能

您好、Muni：

您能提供更多有关齐纳二极管位置的背景信息吗？  这在您的设计的电路板上吗？

菲齐克斯

e2e.ti.com/.../DLPLCR9000_5F00_DMDBOARD_5F00_P9_5F00_WQXGA_5F00_TYPE_5F00_A_5F00_1-_2800_1_2900_.pdf

我指的是随附原理图的第4页。

在正常的使能关闭状态下、我们为何需要通过12 Ω 电阻器将 VOFFSET 连接到齐纳二极管。

谢谢。

穆尼

您好、Muni：

我将 DMD 器件型号从 DLP9000X 更改为 DLP9000、以避免产生混淆。

不过、齐纳二极管的功能是相同的。  我需要和我们的布局人员交流、希望今天晚些时候就能得到答案。  最迟在明天。

我知道它是为了防止 V_offset 电压变为高电平、但我不确定12欧姆电阻器。

菲齐克斯

尊敬的 Fizix：

这是我的理解。 选择12欧姆将 Voffset 的输出电容器(C13, C14)上存储的能量放电得足够快。( RC 时间常量高)

为 Vbias 和 VRESET 电源轨应用相同的12 Ω 电阻、确保其放电率与 Voffset 相同。 (以实现正确的断电顺序)。

但我感到困惑、为什么齐纳二极管仅在 Voffset 轨上使用。

谢谢。

穆尼

您好、Muni：

我正在尝试确认、但我的理解是、由于此电压也用于 CMOS 阵列存储器、因此需要对其进行保护、使其免受 CMOS 存储器过压的影响、因此使用齐纳二极管来防止发生这种情况。

菲齐克斯

尊敬的 Fizix：

感谢您的答复。 在断电期间为电源轨(Voffset、Vbias、Vreset)放置12 Ω 电阻器的原因是什么。

谢谢。

穆尼

您好、Muni：

我相信您之前的评估是正确的、这是用于控制电源轨上大容量电容器的断电时间、但我想向设计人员证实这一点。

菲齐克斯