请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
部件号： DP83826E
您好的团队、
我看到了之间的几个差异 DP83826ERHBR 数据表 和 SNLA344A ：
- 中心抽头去耦（初级侧）： 数据表 2nF 详细说明 0.1 µF∥1 µF 。
- PHY–磁性元件引脚 (TD_P、TD_M、RD_P、RD_M)： 应用手册添加了 4.7 µF 连接到每条线路上的 GND。 数据表中不存在。
- CEXT（PHY 外部电容器）： 数据表 2nF 详细说明 2.2 µF∥0.1 µF 。
请告知：
- 建议使用哪些值 对于标准 10/100BASE‑TX 设计？
- 理由 对于较大的 µF μ F 电容器（EMI/EMC、ESD/EFT 稳健性，磁性元件选择，布局）？
- 对性能的影响 如果我们采用较大的电容（辐射/共模 μ‑噪声、链路时序/稳定、SI/回波损耗）、
- 不限 更新了配套资料/勘误表 这取代了任何一个文档？
环境： DP83826ERHBR、CAT‑5e、中心‑抽头至 3.3V （过孔扼流圈）、4‑层 PCB。 如果有用、我们可以分享磁性元件 P/N 和原理图。
