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器件型号： DP83825I
我在较高 MHz 至 GHz 部分遇到辐射 EMI 问题。 我能够在 EMC 实验室中使用近场探头进行测量。 PHY 周围会有很大的尖峰。
我想请您分析 PHY 周围的原理图和布局。
如果我要 结束你更多的信息,请告诉我。
此致、
C é dric Trachsler
器件型号： DP83825I
我在较高 MHz 至 GHz 部分遇到辐射 EMI 问题。 我能够在 EMC 实验室中使用近场探头进行测量。 PHY 周围会有很大的尖峰。
我想请您分析 PHY 周围的原理图和布局。
如果我要 结束你更多的信息,请告诉我。
此致、
C é dric Trachsler
尊敬的 Cedric：
原理图中的时钟电路看起来正常。 我看到、在近场探头中、每个 25MHz 都有较小的峰值、而每个 50MHz 都有较大的峰值。 这是合理的、因为 25MHz 是 XI/XO、而 50MHz 是 XI/XO 谐波以及 50MHz RMII 时钟的组合。 我怀疑通过减少 其中任一电路的发射、50MHz 谐波都会得到改善。
从布局来看、XI/XO 电路看起来不错、但可以进一步优化。 在这里进行的一些改进是在蓝色圈出的区域添加 GND 填充和更多拼接过孔。 此外、您可以将负载电容器 GND 焊盘直接安装到大 GND 平面上、而不是通过布线（用绿色圆圈标出）连接它们
PDF 中的 50MHz 时钟布线很难遵循、但我认为这正是它所采用的方法：
在这种情况下、 添加 GND 填充并增加布线周围的拼接过孔数量有助于减少发射。 此外、如果可以通过任何方法缩短时钟布线的长度、则有助于减少辐射。 理想的布线方式是将 RMII 布线完全位于顶层、而不是通过两组过孔进行布线。
此致、
Shane
