Other Parts Discussed in Thread: AM26LV32E
器件型号： AM26LV32E
1. DLN 和 RFAB 之间的输入电阻变化
我们在未安装的器件样本（使用手持式测试仪）上测量了 VCC A 和 B-GND 之间的电阻。
近似值为：
RFAB-A：VCC ~222k Ω、RFAB ~130k Ω
B-GND：DLn ~222k Ω、RFAB ~130k Ω
我们知道数据表中显示的 200k Ω 仅是内部偏置网络的简化/典型表示、而不是保证值。
尽管如此、差异仍然很大、足以影响我们应用中的 RC 行为。
问题 1：
从 TI 的角度来看、RFAB 器件的预期值是否根据工艺/晶圆厂变化而约为 130k Ω 至 140k Ω？
或者这些值是否会被视为超出正常范围？
我想知道电阻值的范围。
2. RFAB 和 DLN 设备的等效性
问题 2：
TI 是否认为 RFAB 生产的 AM26LV32E 器件完全等同于 DLN 器件（外形/功能，数据表兼容性）？
我们希望正式确认这一点、以便我们能够向客户正确解释。
3.未来生产 (DLN/RFAB/MIX)
问题 3：
对于未来的生产、我们是否应该预期器件来自：
仅限 DLN
仅限 RFAB
或同时使用 FABS？
即使是通用指南（例如“主要 RFAB 未来“）也有助于我们的内部规划。
4.未来的发货中是否会混合使用 DLN 和 RFAB？
如果两个 FB 都可能继续出现在供应链中、我们需要确保我们的输入串联电阻值适用于这两种型号。
问题 4：
未来的装运是否会混合使用 DLN 和 RFAB 器件？
或者、每个货件/批次是否仅包含来自单个晶圆厂的器件？
任何有关 TI 配送政策的评论都将不胜感激。
5、申请固定制造厂来源的可能性
出于设计裕度和资质审核目的、我们更容易使用一致的制造厂资源。
问题 5：
是否可以通过固定的制造厂源（例如仅 DLN 或仅 RFAB）订购 AM26LV32E？
如果有任何可用的方法（订购代码，特殊申请等）、请告知我们。
