[参考译文] TCAN4550：状态图

尊敬的 AP：

我为这个混乱而道歉。  我在 EVM 上查看过这种情况、可以观察到、当器件处于 UVIO 保护状态时、INH 引脚处于活动状态和高电平、这与状态图和文本说明一致。  但是、这种受保护状态仅在 200500ms 内存在、如果 VIO 未恢复到大于 UVIO 阈值的值、则器件将转换到睡眠模式、并在睡眠模式下禁用 INH。

我还会注意到、必须清除 PWRON 位才能使 200-500ms 的 UVIO 计时器运行并使器件从 UVIO 受保护状态转换到睡眠模式。  如果在初始上电或复位事件后 PWRON 位未清零、则 INH 引脚将保持高电平、同时 VIO 电压为低电平。  这是为了防止在初始启动期间、如果 INH 引脚控制低压稳压器来提供 VIO 和 MCU、则出现不必要的下电上电振荡。  一旦系统处于激活状态、VIO 电源应该稳定、并且 MCU 可以清除 PWRON 位、从而允许 UVIO 计时器在 UVIO 条件下运行。  

哪一项是正确的？ INH 状态是否是“TCAN4550 在所有模式下绝对处于睡眠模式“的安全硬件指示符？

当器件处于睡眠模式时、INH 引脚将为 Hi-Z、当器件处于任何其他模式时、该引脚将为高电平。

以及状态图的另一个问题：
状态待机模式、TSD 保护和 UVIO 保护在状态块内显示“唤醒源：唤醒“或“CAN、WAKE“。 可以看到睡眠模式下的唤醒事件效果。 但是在上述其他状态下、唤醒事件（总线或引脚）的影响是什么？

图中唯一的其他模式是正常模式、该模式没有任何唤醒源、因为器件已在正常模式下运行。  

此致、

Jonathan

尊敬的 Jonathan：

INH 现在很清楚、感谢您查找这些内容。

但对于另一个问题（状态图块中显示的唤醒源，而不是箭头）：待机模式、TSD 保护模式和 UVIO 保护模式已将它们的“块“：“唤醒源：CAN 总线或 WAKE 引脚“写入了它们。 但没有箭头表明唤醒事件会离开这些状态中的任何一种。 所以我想知道在这些状态的状态块中的“唤醒源“语句。  

例如、为什么要知道、例如在 TDS 保护模式下、它们是活动的“唤醒源“？  唤醒事件是否会立即退出 TSD 状态（尽管没有箭头指示）、如果是、将进入哪种状态？ 或者在 TSD 状态下唤醒事件的影响是什么（例如，待机模式状态的问题相同）。  睡眠模式状态清楚地表明唤醒事件将状态转换为待机（唤醒事件箭头）。 但待机和 TSD 状态只有块内的文本、没有“唤醒事件“箭头、我真的不知道该怎么做。

谢谢

将

我刚刚注意到状态图左侧的小注释（之前对它视而不见）：我想这意味着、任何状态下具有有效唤醒源的唤醒事件都将离开当前状态并进入待机模式状态（即使图中未显示这样的“箭头“）？

将

我得出这一“结论“：

状态图左侧的小注释“属于“睡眠模式状态（从睡眠状态转换到待机状态的注释）。

具有有效“唤醒源“的其他状态（正常或睡眠除外）仍会通过 nWKRQ 和/或中断指示唤醒事件、但不会更改状态（只是因为唤醒事件）。 这种说法或多或少是正确的吗？

尊敬的 AP：

根据定义、UVIO 受保护和 TSD 保护状态是“受保护“的、这是因为电压电平过低而无法正常运行、或者温度过高而导致器件无法正常工作。  退出这些“受保护“状态之一的唯一方法是让电压或温度电平恢复到正常安全水平、以便器件按预期运行。   

当器件处于这些受保护状态之一时、数字内核不会被禁用、因此可能会检测到唤醒事件。  但是、只要电压或温度条件超出正常工作范围、器件就会保持受保护状态。  一旦该条件清除、就可以检测到唤醒信号。

因此需要清除的是、仅根据 VIO 电压电平才会进入和退出 UVIO 受保护状态。  同样、仅会根据内部芯片温度进入和退出 TSD（热关断）受保护状态。

图中箭头指示的事件将导致状态更改。  仅当器件处于睡眠模式时、器件才会从唤醒事件转换到待机模式。   

此致、

Jonathan