器件型号: DP83TD510E-EVM
您好:
我们目前正在将 Texas Instruments 参考设计用于以太网至 SPE 转换器、其中 25MHz 晶体 (ABM8AIG-25.000MHZ-12-2Z-T3) 用作 DP83TD510ERHBR SPE PHY 的参考时钟源。
该时钟使用 PHY 的 PLL 在内部进行乘法、生成 50MHz RMII 参考时钟、然后将该时钟提供给以太网 PHY (DP83822HRHBT) 以进行双向通信。
我们正在评估使用外部振荡器 (ECS-3225SMVQ-250-DS-TR) 替换晶体的可能性、该振荡器与现有晶体相比(±70ppm)可提供更高的频率稳定性 (–40°C 至+125°C 范围内为±20ppm)。
然而、根据我们的分析、我们了解以下内容:
- 现有的设计使用了一个无源晶体、这个无源晶体通过内部振荡器电路连接到 DP83TD510ERHBR 的 XI/XO 引脚。
- 建议的替代产品是提供 CMOS 时钟输出的有源振荡器。
- 直接用振荡器替换晶体并不简单、因为 PHY 振荡器引脚专为晶体接口而设计、而不是驱动的时钟输入。
- 如果要使用外部振荡器、PHY 必须支持外部时钟输入模式、其中:
- 该时钟应用于 XI 引脚
- XO 引脚保持未连接状态(或根据数据表建议进行处理)
我们要确认以下几点:
- DP83TD510ERHBR 是否在 XI 引脚上支持外部时钟输入模式?
- 如果是、是否有以下方面的任何特定要求:
- 输入时钟幅度和逻辑电平
- 占空比和抖动限制
- XO 引脚端接或配置
- 将晶体替换为 ECS 振荡器是否会对 RMII 时序或与 DP83822HRHBT 的同步产生任何影响?
- 关于将外部振荡器与此 PHY 配合使用、是否有任何推荐的参考设计或应用手册?
请您提供有关这种更换是否可行以及我们应考虑的任何设计注意事项的指导、我们将不胜感激。