This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TUSB522P:有关 TUSB522PIRGER 的问题

Guru**** 2893300 points

Other Parts Discussed in Thread: TUSB522P

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1628943/tusb522p-question-about-tusb522pirger

器件型号: TUSB522P

您好:

目前、在项目的 EOS 测试期间、存在无法识别 USB 闪存驱动器的问题。 当测试 EOS(8/20us 浪涌波形、耦合方法:+极电容器/二极管, — 极电容器/电感器)至+8V 且 RX 信号接地时、会出现该问题。
此转接驱动器芯片型号 TUSB522PIRGER 的自保护功能是什么? 需要提供单独的 TLP 和 EOS(用于 RX/TX 信号接地)、谢谢!!!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、

    是否有任何有关此 EOS 测试的文档?

    是否在 TUSB522p 的引脚上暴露了+8V 电压? 这远远超过了 TUSB522p 引脚的最大额定值。  

    您能否分享此设置的方框图?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Vishesh:

    目前、当将 RX.TX 信号接地时、可能存在 IC 硬损耗。 在 USBA 接口上、经过 TVS 3.3V Vrwm 和串联电阻 5.1 后、我尝试将串联电阻更改为 12.1 Ω、但没有提高。 同时、我将 4 通道 TVS 3.3V 替换为 1.5V Vrwm+12.1 Ω、但串联电阻仍然没有改善。 8V 显示出硬损耗。
    EOS 文档如下:
    测试条件:
    μ 波形参数:1.2/50 μ s(电压波形)和 8/20 μ s(电流波形)组合波:
    测试极性:+/-
    测试频率:每个极性和电压电平 5 次;
    测试电压:从低到高、直到损坏。 起始电压:6V、步进电压:1V

    测试步骤:
    从信号线 (D+、D — ,TX+、TX — ,RX+、 RX—、Vbus) 和接地;
    2.从 6V 开始执行浪涌测试。 步长为 1V、测试到 12V、并每次测量端子到地电阻、以比较与测试前相比是否有显著变化。
    3、正极和负极每测试 5 次,间隔 5 秒。 对于正极性浪涌、使用二极管去耦、而对于负极性、则使用电感器去耦。 原型经测试表现出功能异常或阻抗显著变化(超过 50%)。
    4.记录此电压。
    测试仪器如下:
    设备型号:TVS8/20TC

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、

    是否有相应的测试规范?

    这看起来违反了 ABS。 TUSB522p 引脚的最大值、我们无法保证在此运行。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好:

    由于不活动而关闭线程。 如果您有任何后续问题或疑虑、请随时回复。