Other Parts Discussed in Thread: TUSB522P
器件型号: TUSB522P
您好:
目前、在项目的 EOS 测试期间、存在无法识别 USB 闪存驱动器的问题。 当测试 EOS(8/20us 浪涌波形、耦合方法:+极电容器/二极管, — 极电容器/电感器)至+8V 且 RX 信号接地时、会出现该问题。
此转接驱动器芯片型号 TUSB522PIRGER 的自保护功能是什么? 需要提供单独的 TLP 和 EOS(用于 RX/TX 信号接地)、谢谢!!!
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器件型号: TUSB522P
您好:
目前、在项目的 EOS 测试期间、存在无法识别 USB 闪存驱动器的问题。 当测试 EOS(8/20us 浪涌波形、耦合方法:+极电容器/二极管, — 极电容器/电感器)至+8V 且 RX 信号接地时、会出现该问题。
此转接驱动器芯片型号 TUSB522PIRGER 的自保护功能是什么? 需要提供单独的 TLP 和 EOS(用于 RX/TX 信号接地)、谢谢!!!
尊敬的 Vishesh:
目前、当将 RX.TX 信号接地时、可能存在 IC 硬损耗。 在 USBA 接口上、经过 TVS 3.3V Vrwm 和串联电阻 5.1 后、我尝试将串联电阻更改为 12.1 Ω、但没有提高。 同时、我将 4 通道 TVS 3.3V 替换为 1.5V Vrwm+12.1 Ω、但串联电阻仍然没有改善。 8V 显示出硬损耗。
EOS 文档如下:
测试条件:
μ 波形参数:1.2/50 μ s(电压波形)和 8/20 μ s(电流波形)组合波:
测试极性:+/-
测试频率:每个极性和电压电平 5 次;
测试电压:从低到高、直到损坏。 起始电压:6V、步进电压:1V
测试步骤:
从信号线 (D+、D — ,TX+、TX — ,RX+、 RX—、Vbus) 和接地;
2.从 6V 开始执行浪涌测试。 步长为 1V、测试到 12V、并每次测量端子到地电阻、以比较与测试前相比是否有显著变化。
3、正极和负极每测试 5 次,间隔 5 秒。 对于正极性浪涌、使用二极管去耦、而对于负极性、则使用电感器去耦。 原型经测试表现出功能异常或阻抗显著变化(超过 50%)。
4.记录此电压。
测试仪器如下:
设备型号:TVS8/20TC
