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[参考译文] DP83822H:晶体电路问题

Guru**** 2526700 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1083521/dp83822h-crystal-circuit-question

部件号:DP83822H

大家好,团队

  1. 要清楚一点,总负载电容= C1*C2/(C1+C2)+杂散电容? 如果 C1 = 12pF 和 C2 = 12pF,总负载盖= 6pF +杂项=>正确?  
  2. 对于 25 MHz Crystal,数据表指定了10pF 到40pF 之间的负载电容,因此,我们是否应该建议客户将 C1和 C2增加到至少20pF,以满足10pF 的最低规格?  
  3. 如何确定 R1?  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好,彭圭

    1.  是的,您所做的计算是正确的。
    2. 我们建议使用20pF 作为建议。 请让客户与供应商确认20pF 负载电容器,因为不同晶体可能与供应商有不同的建议。
    3. R1是电流限制电阻器。 它通常用于限制晶体内的功率消耗。 为了了解 R1的详细价值,我们需要询问晶体的供应商。

    此致,

    林山民