大家好、
您能帮您选择要使用的开关电容器吗?
表9-1显示了建议的电容值。

我认为电容的电容变化取决于直流偏置或温度等条件。
例如、当 Vcc=3V 时、我应该为 C1选择电容、以保证在最坏情况下(包括直流偏置、温度等)至少0.1uF、我的理解是否正确?
此外、使用较大的电容器是否存在任何问题?
此致、
Kurumi
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大家好、
您能帮您选择要使用的开关电容器吗?
表9-1显示了建议的电容值。

我认为电容的电容变化取决于直流偏置或温度等条件。
例如、当 Vcc=3V 时、我应该为 C1选择电容、以保证在最坏情况下(包括直流偏置、温度等)至少0.1uF、我的理解是否正确?
此外、使用较大的电容器是否存在任何问题?
此致、
Kurumi
尊敬的 Eric:
感谢您分享这篇很棒的博客、但我很难找到原始问题的答案。
我的问题是、在选择或不选择电容器时、是否需要考虑直流偏置、温度等的影响。
例如、下面是0.1 uF 电容器的直流偏置特性。 如果直流偏置电压为10V、则电容将降至0.02~0.03uF。
我应该为 C1选择能够在最坏情况下(包括直流偏置、温度等)保证至少0.1uF 的电容、我的理解是否正确?

对于第二个问题,博客上提到大电容并不总是意味着更好的纹波性能。 因此,我猜过大的电容器并不理想。 但如果这是错误的、请告诉我。
此致、
Kurumi
电容器值为标称值、但该器件最初设计用于没有直流偏置效应的电解电容器。 因此 可接受的容差为±20%。
如果您使用的是 MLCC 电容器、则必须确保直流偏置效应不会比这更差。 因此您必须使用较大的封装。
较大的输入/输出电容器会使纹波更小(因为飞跨电容器移动的电荷相对于 I/O 电容器上的电荷更小)。 飞跨电容器越大、纹波就越大(纹波频率越低)。
较大的电解电容器具有较高的 ESR、这可能会使纹波变差、但这对于陶瓷电容器来说不是问题。