您好!
我正在设计3G SDI 输出和输入接口时使用 LMH0397RTVT IC。 我将使用 来自 Samtec 的 BNC 连接器 BNC7T-J-P-GN-RA-BH2D。 我已通过两种不同的方法为此 IC 设计了布局。
方法1:75 Ω 阻抗信号在 N-2层中具有接地基准。 根据堆叠、N-1层中提供了禁止
方法2:75欧姆阻抗信号在 N-2层中具有接地基准、但36mil 的信号布线长度 没有 接地基准。
SDI 输出和输入接口的布局设计将相似。 我附加了 SDI 输入接口的布局设计。 我已附上原理图 并进行堆叠 以供参考。
您能否查看 为这两种方法提供的布局文件、并让我们知道我们应该考虑并继续进行的正确布局设计。 另外、请告诉我们 您对改进布局设计的建议。
提前感谢!e2e.ti.com/.../iW_2D00_EMFCY_2D00_BF_2D00_01_2D00_R1_5F00_0_2D00_REL1_5F00_0_5F00_27_2D00_08_2D00_2021_2D00_1900_2D00_SDI_2D00_APPROACH1.PcbDoce2e.ti.com/.../APPROACH2.pdfe2e.ti.com/.../UPDATED_2D00_APPROACH-1.pdfe2e.ti.com/.../iW_2D00_EMFCY_2D00_BF_2D00_01_2D00_R1_5F00_0_2D00_REL1_5F00_0_5F00_27_2D00_08_2D00_2021_2D00_1900_2D00_SDI_2D00_APPROACH2.PcbDoce2e.ti.com/.../IWAVE_2D00_8LAY_2D00_08JUNE2021_2D00_21364.pdf
这是可以接受的。 不会存在任何阻抗不匹配。