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[参考译文] MAX3232E:在新修订版数据表中添加1μF μ F 电容器的背景信息

Guru**** 2523890 points
Other Parts Discussed in Thread: MAX3232E

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1024048/max3232e-background-for-add-1-f-capacitor-on-new-revision-datasheet

器件型号:MAX3232E

MAX3232E 新 µF (修订版 E)数据表在旧版本中添加了" VCC 和 GND 之间需要1 μ F 电容器才能满足指定的 IEC 16000-4-2额定值"。

请告诉我为何还需要添加1μF。  

一位客户担心 ESD 等级因裸片修订而变得较弱、他们猜添加1μF 意味着增强了 ESD 等级的减弱。   

我们希望确认 MAX3232E:Rev D 和 Rev E 是否不同 ESD 规格。

此致、

Satoshi

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    ESD 保护二极管不能耗散 ESD 脉冲的能量、而是将电流分流到电源中、由去耦电容器在电源中消耗。 (ESD 脉冲的总能量很小、以至于电容器的电压不会上升有害的量。)

    芯片没有改变。 即使是在旧版本中、也使用该电容器测试了 ESD。

    (我不知道 SOIC 封装有什么特别之处。)

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    感谢 Clemens 的技术说明!

    你好,Satosi-San,

    此处引用的修订版本仅为数据表版本、不反映器件中的更改。 与 Rev D 或 Rev E 数据表一起销售的器件之间预计不会有差异。  

    如果您有任何疑问、请告知我们。

    此致、
    Eric Schott