[参考译文] THVD1410：如何确定 RS485收发器的生成

您能参考错别字吗？ 什么是错误？我的错是什么？

我不明白为什么 TI 的指南中提到的 Z-gen 的抗噪性能提高3倍、当我看到 X-gen 的抗噪性能为250mV、Y-gen 的抗噪性能为170mV、而 Z-gen 的抗噪性能为140mV 时、这是一个很好的例子。

这里有几个定义：最小失效防护电压 VAB (min)和抗噪、峰峰值到峰值噪声水平。  

在50mV 噪声水平下、VAB (min)为第 X 代、Y 代、Z 代的250mV、40mV 和30mV

同样、只有 Gen Y 和 Z 具有失效防护功能(使用开路/空闲/短路总线的 RX=H)。 假设共模噪声为0V、抗噪性为50mV =2x|-10mV-15mV|、假设第 Y 代的最小 Vhys 为15mV、而第 Z 代的最小 Vhys 为140mV  

一般来说、较大的 Vhys 具有更好的抗噪性能、尤其是在最小 Vhys 规格下。 尽管如此、大多数系统设计都基于 VIT+/VIT-。   

1。

[引用 userid="6489" URL"~/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1011677/thvd1410-how-can-i-determine-the-generation-of-rs485-transceivers/3740153 #3740153"]对于50mV 的噪声水平、VAB (最小值)为第 X 代、Y 代、Z 代的250mV、40mV 和30mV。[/引用]

VAB (min)=30mV 来自 Z-gen 的哪个位置？ 它应该为零=>在 Z-gen 没有失效防护偏置！

2.

[引用 userid="6489" URL"~/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1011677/thvd1410-how-can-i-determine-the-generation-of-rs485-transceivers/3740153 #3740153"]假设噪声共模为0V、抗噪性为50mV =2x|-10mV-15mV|、假设 Y 代的最小 Vhys 为15mV、而 Z 代为140mV [/引用]

我不同意这一3倍抗噪的解释。 您可以将它们作为非偏置 Y 型和 Z 型器件进行比较。 没错。

但是、originate TI 指南在该示例中比较了 X/（Y？？？)/Z-gen、因为 X/Y-gen 存在故障保护偏置、而 Z-gen 没有偏置。

"Z-gen 器件的抗噪性能几乎是采用外部偏置的传统器件的三倍"

如果传统器件仅意味着 X 生成、并且 VAB=250mV、如示例所示、那么我们将讨论100mV 的抗噪性。 您已在设置时确认、所有器件只会更改 VITplus - VHYS 电平下的输出电平。 因此、具有250mV 偏置电压的 X 生成器件在150mV 之前将保持良好状态、这意味着2x100mVpp = 200mVpp 噪声电压(换句话说、100mV 噪声抗扰度)

但是、如果我们将200mV 偏置作为传统器件(X-gen)的最低要求、并且传统器件的 VHYS 为50mV、则结果是偏置电压上允许的最大噪声为100mVpp。

100mVpp 的传统器件噪声级别和140mV 的 Z gen 噪声级别不是值的3倍！！！

好的、VHYS=50mV 和35mV 是 X/Y 生成器件数据表中的典型数据。 在我这边、它不能像在 Y-gen 器件上那样缩小它们的尺寸。

它可以提供有关 X 和 Y 器件的最小 VHYS 值的信息、以便更好地理解。

我的最后结论。

澄清"抗噪性"的定义非常重要。 在我的术语中、它意味着 VAB 和器件的 VITplus-VHYSmin 的距离、而不是峰峰值噪声电压。

非常重要的一点是、澄清传统器件的含义(仅限 X 或 X/Y)。

3.

我没有收到关于文件错别字的任何答复。

4.  

[引用 userid="6489" URL"~/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1011677/thvd1410-how-can-i-determine-the-generation-of-rs485-transceivers/3739415 #3739415"]SNx53082E[/quot]

我认为这是拼写错误、您正在考虑 上面的 SNx5HVD3082E。  

5.

[引用 userid="6489" URL"~/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1011677/thvd1410-how-can-i-determine-the-generation-of-rs485-transceivers/3739415 #3739415"]每个器件的实际 Vit+会有所不同(所有过程、温度和电压变化均可保证-20mV)、这意味着 Vit+-Vhys 也会有所不同。 最小 VIT-(-200mV)是保证适用于所有硅酮的唯一值。  [/报价]

您是否正在考虑使用这里的 Z-gen 器件？

1. Vmin (AB)=30mV、噪声为50mV。 对于0V 噪声、第 Y 代和 Z 代都不需要外部失效防护偏置、但第 Y 代具有较小的裕度。

2.你是对的。 传统器件指的是 X 代。个人而言、我认为比较 X 代和 Y 代/Z 代之间的"抗噪性"是没有道理的、因为共模噪声是不同的。 我对您定义"防噪性能"的方式表示良好。 由于第 Y/Z 代是失效防护的、因此0V 附近的峰-峰值噪声是合理的。 很抱歉、没有关于第 X 代和 Y 代的最小 Vhys 的数据。我的目标是、系统可以使用噪声电压和最小 Vhys (如果可用)进行设计以获得更大的裕度。  

3.我同意这些值是错别字。  

好的、我指的是 SNx5HVD3082E。  

5.我指的是所有的一代 X/Y/Z Vhys 在灰色区域内提供一些裕度、而 VIT+和 VIT-是硬带。  

请确认表1的正确值。

错误=>更正了

Y-gen："–0.2V < VAB < 0.01V"=>"–0.2V < VAB <-0.01V"

Z-gen："–0.2V < VAB < 0.07V"=>"–0.2V < VAB <-0.02V"

以下是我的最后结论：

TI 的指南在 X/Y 形器件的示例中介绍了50mV 失调电压偏置、但 TI 关于比较抗噪性能的最终结论并不取决于示例。

3倍 Z-gen 器件的抗噪性能值来自传统的 x-gen 器件基础实际值：Vhys、min 是 Vhys、typ 的一半。 VAB (min)=200mV 是强制的。 因此、具有 Vhys 值、TYP = 50mV 的 X 生成器件可承受2*25mVpp 噪声。 其中、Vhys、min=50mV/2=25mV

比较 Y 和 Z 相是类似的。 Vhys、min 是 VSYS 的一半、典型值。 在不偏置的情况下、它意味着 Vhys、min=15mV。 因为 Vit+=-10mV、所以 Y-gen 器件也可以承受2*25mVpp =50mVpp 的噪声。

Z-gen 器件可承受2*(20mV+50mV)=140mVpp 噪声。
因此、X/Y/Z-gen 噪声 pk2pk 值显示为50mV/50mV/140mV。
因此、与 X/Y 相比、Z-gen 器件的抗噪性能提高了3倍、仅次于 X-gen 200mV 偏置、Y-gen 非偏置、Z-gen 非偏置。

感谢您对表进行更正。 我将在下一轮文档更新中更改这些值。  

我同意你的解释。 只要接受不同的共模电压、第 X 代和第 Y/Z 代之间的这种"噪声抗扰度"比较就有意义。 我很好奇您的应用是什么样子、以及您如何根据这些信息设计您的系统。  

我的应用是采用 OSDP 协议的访问控制器和 RFID/NFC 读取器、其中 C&D / Wiegand/OSDP 接口是来自电路板的多种可配置接口(通用引脚、不同接口)。 对于简单的硬件接口、必须使用 Y 或 Z 代器件(对我们而言、Z 代更好)、因为我们可以不使用偏置电阻器、这些电阻器与 C&D / Wieg 接口上拉电阻器相冲突。 使用 Y 或 Z 代器件时、PAC 控制器的从 RS485接口也可能更好。 可以避免在主/从网络器件上使用偏置跳线。 就这些。

我同意、许多 TI 文档都有拼写错误。 这就是我打开这个线程的原因。

感谢您的支持。

Attila