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[参考译文] DS125DF111EVM:高电流且未检测到信号

Guru**** 657500 points
Other Parts Discussed in Thread: DS125DF111EVM, DPS-DONGLE-EVM, DS125DF111
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/999742/ds125df111evm-high-current-and-no-signal-detected

器件型号:DS125DF111EVM
Thread 中讨论的其他器件: DPS-DONGLE-EVMDS125DF111

你(们)好

我购买了新 的 DS125DF111EVM 电路板、初始设置如下所示

它被设置为与 DPS-DONGLE-EVM 连接的 SMBus 从模式。

INA+ 连接了10Gbps PRBS 数据 Vpp=300mV。 OUTA+已连接到示波器。

起初、当 Vin=+3.3V 时、 电流 Iin 约为24-25mA。 未检测到信号。  您能建议如何在"低级页面"上设置"寄存器"以使其正常工作吗? 或者我可以将其保留为默认值吗?

我在 https://www.ti.com/product/DS125DF111上阅读了这些文档 ,但仍然不知道。 很抱歉、我对 FPGA 很陌生。  

一段时间后、电流 跳过300mA。  我从数据表中得知、"最大瞬态电源电流默认设置:CHA 和 CHB "在检测到有效输入信号时最高可达294mA。

但 我仍然认为库雷特太高了。 现在、即使当 Vin=0.1V 时、Curret Iin 也是79mA、远高于以前。  

请给出建议

1.什么是检测10Gbps 数据锁相的正确设置"控制器"?

2.当 Vin=3.3V 时、正常工作电流是多少?   

非常感谢

此致

Jim

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Jim、您好!

    为了锁定到10Gbps 输入、请确保在低级页面上设置了以下寄存器、以显示下面突出显示的行中所示的值:

    也可以在 DS125DF111 SigCon 配置文件的高级页面上的 CDR 选项卡下设置这些寄存器、如下所示。 您可以选择标准数据速率选择,也可以手动输入 VCO 频率/ppm 容差,然后单击“写入速率寄存器”。

    2.正常工作电流如下:

     

    此致、

    起亚拉赫巴