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[参考译文] TS3USB221EVM:TS3USB221EVM

Guru**** 2471080 points
Other Parts Discussed in Thread: TS3USB221

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/875627/ts3usb221evm-ts3usb221evm

器件型号:TS3USB221EVM
主题中讨论的其他器件:TS3USB221

您好!

请帮帮我。

我已经使用 TS3USB221设计和构建了一个 USB 2.0 4端口多路复用器。

遵循所有90欧姆差分条线设计指南后、我们发现 USB 端口无法在480Mb 下运行。

此设计有效地实现了2个彼此串联的 TS3USB221。

我怀疑我的 PCB 布局、因此我们将通过级联两个 TS3USB221 EVM 模块来测试理论。

 EVM 注意到的一个问题是、USB 信号层在差分走线周围也有一个接地平面。

所有设计指南都指出这是不正确的(。 此外、在布线的整个长度范围内、保持与任何其他信号的最小禁止面积为30mil。)

这是问题吗? (我的 PCB 在 USB 信号层上没有接地平面)

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    你(们)好

    在与高速差分信号布线相同的层上放置接地层的好处是它可以减小高速差分信号布线的辐射磁场。 但是、最好将高速差分迹线和接地层之间的距离保持在至少两倍的迹线宽度距离。 这样可以最大限度地减小平面的电容、从而改变布线的特性阻抗。

    在将两个 EVM 级联在一起时、您是否看到 USB 以480MHz 运行?  

    在级联多个开关时、需要考虑信号带宽、Ron 和总电容、请查看以下 e2e 文章: https://e2e.ti.com/support/archive/internal/int-switches-multiplexers/f/397/t/87105?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=ts3usb221%252525252520cascade

    您还看一下 USB2眼图吗?

    您认为我是否可以查看您的布局?

    谢谢

    David

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    非常感谢 David 的回答。

    回答您的问题

    我们有一个 USB 类型 b 连接器作为输入。 然后、信号通过2 ts3usb221路由到带有 USB 2.0记忆棒的 USB A 型连接器。

    我们可以毫无问题地将数据读取和写入 USB 记忆棒。

    如果 USB 2.0记忆棒更改为可引导 USB 记忆棒、主机 PC 将拒绝从其引导。

    我们已经尝试过使用单个 ts3usb221的评估板、并且每次都从记忆棒启动 PC。

    这让我相信、PC 会尝试以 USB 2.0全速枚举、并且开关中的损耗太大、或者我的 PCB 布局出现故障。

    遗憾的是、我只能访问100MHz 示波器、因此没有机会看到眼图、甚至无法看到+D 或-D 线路上的活动。

    如果您能查看我的布局并给我一些指导、我将不胜感激。

    第一个原型 PCB 是4层1.6 FR4。

    顶层逻辑信号 和 USB 电源、 第二层 Vcc 3V3、第三层 USB GND 和底层 USB SIG。

    USB GND 中无分离、无残桩、布线尽可能短。

    共享布局的最佳方式是什么?

    再次非常感谢。

    Gary

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    Gary

    您是否接受我的友谊请求、然后您可以使用私人消息向我发送布局文件。

    谢谢

    David

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    尊敬的 David:

    已接受的友谊和通过私人消息发送的文件。

    此致、

    Gary

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    通过私人消息提供的支持、请关闭此线程。

    谢谢

    David