[参考译文] TRS213：ESD 事件导致 IC 烧坏

您好、Lo2、

您能否描述应用于器件的 ESD 冲击？ 如果您遵循测试标准、请分享测试的标准和级别。 这是受控的实验冲击还是现场的意外事件？  

该器件的 ROUT 引脚为 TTL/CMOS 输出、不用于为其他器件供电。 来自该引脚的电流将来自 Vcc、与提供给相应 Rin 输入的电流无关。  

此器件中的集成保护电路将尝试钳制超过每个引脚绝对最大规格的电压。 一旦条件恢复到该指定范围内、保护电路将断开、以使器件恢复正常运行。 请注意、这些内部电路不能承受或耗散大量能量。 虽然它们可以防止短时 ESD 事件、但任何长时间的直流故障都将迅速超过电路的散热能力、并造成永久损坏。  

根据您的描述、器件似乎是 ESD 事件造成的内部损坏、ESD 事件会形成一条通过器件的低阻抗路径。 一旦由系统供电、此路径允许大电流流经器件、从而快速加热并进一步损坏器件。 为了帮助解决此问题、请分享有关可能对器件施加 ESD 应力的信息。  

此致、
Eric Schott

尊敬的 Eric：

ESD 放电是使用 NoiseKen ESS-B3011A ESD 仿真器生成的、电压为8kV。

下图显示了测试的器件、PCB 位于外壳内。 TRS213芯片连接到三个 Sub-D9连接器。 放电应用于所示位置。

在此测试期间、TRS231的行为符合预期。

当外设连接到 COM2时、它为 COM2的 RI 引脚提供12V (高达2A)电源：

重复前面所示的相同测试会导致 IC 烧坏。

我们假设 ESD 事件会导致 GND 路径具有低电阻、12V/2A 会使 TVS 二极管保持导电状态、直到其发热。

此致、

环路2.

您好、Lo2、

我无法看到您共享的图像。 您可以再次上传吗？ 您可能必须使用"插入图像"或"插入文件"选项。 复制和粘贴并不总是有效的。

尊敬的 Eric：

此处再次显示了图片：

此致、

环路2.

LO2、

TRS213的哪个引脚是您提到的 RI 引脚？ 正如 Eric 所说、您遵循了什么 ESD 标准？ 是 IEC 61000-4-2吗？ TRS213的额定 HBM 为15kV。 另一个问题是、是否可以在冲击之前和之后测量 RI 阻抗以进行比较。

此致、

Hao

您好 Hao、

这些测试是根据 IEC 61000-4-2 3级进行的、在本例中由8kV 正电荷触发。

这是主板上使用的芯片引脚排列、RI 为引脚18：

客户善意地测量了正在工作和有缺陷的设备上 COM1上的针脚9的电阻：

使用的设备：Fluke 73III
设置：将黑色导线连接到 RS232-Buchse 的引脚5、将红色写入引脚9
测量

工作设备： 4、97kOhm

故障器件：47、0k Ω

此致、

环路2.

LO2、

Rin 引脚  内部集成了5k Ω 下拉电阻器。 放置在后面的 ESD 单元由电压触发。 由于绝对最大值为30V、触发点应高于它。 但是 、二极管不能像其他引脚那样接受大电流。 同样、TRS213的额定 电压也不是任何 IEC 61000-4-2级别。  ESD 冲击可能以不同的方式损坏内部电路。  我建议您将故障器件发送给 TI 质量团队进行故障分析、以确定是否存在故障。

此致、

Hao

您好 Hao、

感谢您的回答！

我可以去除水垢并将其中的一些 IC 发送给 TI。 我位于欧洲、我应该将其发送到弗莱辛吗？

请随时通过电子邮件通知我或与我联系。

此致、

环路2.

LO2、

您应该能够 联系您的供应商以联系 TI 质量团队。 相关信息可在此网页上找到。

www.ti.com/.../failure-analysis.html

此致、

Hao