您好!
我们是否有关于 HD3SS3412串扰性能的数据?
Don
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您好、Don、
1、串扰和隔离不会随温度的变化而变化。 封装和器件结构在整个过程和温度范围内保持稳定、因此我希望测量值的变化非常小。 可能低于1dB、但根据设置的可重复性、它可能略高。
2.我尚未在该器 件上获取数据、但采用 QFN 封装的其他器件显示、对于 VICUM 和干扰源之间的每个额外引脚、隔离性能提高了10-15dB。
注入的信号通常很小- 50至500mV -仅取决于默认值。 对于无源开关、除非信号过 大并开始 改变开关的电气性能、否则这不会改变结果。 这可能意味着测量中的带宽较低。
此致、
Lee
您好、Don、
我没有图5和图6的具体设置信息、但收集了 VDD 和温度范围内所有可能的差分路径(A0 - B0、A0-C0、A0-A1等)的数据。
对于单端操作、如果您的单端通道成对使用(如 A0+至 A1+)、则可以预期类似的性能。 由于封装键合线和器件上耦合电容 非常接近、因此在一个单对内会出现更多耦合。
建议的电压范围从-0.9V 扩展到2.9V、超过2.9V、您可能会遇到带宽的小幅降低。 这不应给 LVCMOS 单端信号带来任何问题、因为典型开关阈值通常设置为1.5V 或~ VDD/2
此致、
Lee