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[参考译文] HD3SS3412:串扰数据

Guru**** 2391165 points
Other Parts Discussed in Thread: HD3SS3412

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/777729/hd3ss3412-crosstalk-data

器件型号:HD3SS3412

您好!

我们是否有关于 HD3SS3412串扰性能的数据?

Don

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    数据表第10页上的一些数据、这是您要查找的数据吗?
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    谢谢你。   

    图5和6详细介绍了串扰和关断隔离:

    图7详细介绍了串扰设置:

    图8详细介绍了关断隔离设置:

    一些问题:

    1.这些测量是在室温下进行的吗?   如果是、串扰和关断隔离是否随温度变化而变化?   多少钱?

    图中显示了相邻的通道、因此它应该代表最坏的情况。   我们是否在更远的位置拥有相同的通道数据(即 A0和 A3)?

    注入器件的信号幅值是多少?   我知道测量是比例式的、但大/小信号摆幅的比率会变化吗?

    4.我们是否有任何未包含在数据表中的其他可用特性数据?

    Don

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    很抱歉、对于较晚的响应、数据表上的数据是在根温下获取的典型数据。 我们无法再找到温度和电压数据。
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    您好 Brian、

    感谢您最终回答了我的部分问题。   前面发布的问题还有一些其他方面、其中许多方面都没有通过您的简短回答来解决。   请您重新阅读并提供全面的答案吗?

    非常感谢。

    Don

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    您好、Don、

    1、串扰和隔离不会随温度的变化而变化。  封装和器件结构在整个过程和温度范围内保持稳定、因此我希望测量值的变化非常小。 可能低于1dB、但根据设置的可重复性、它可能略高。

    2.我尚未在该器 件上获取数据、但采用 QFN 封装的其他器件显示、对于 VICUM 和干扰源之间的每个额外引脚、隔离性能提高了10-15dB。

    注入的信号通常很小- 50至500mV -仅取决于默认值。  对于无源开关、除非信号过 大并开始 改变开关的电气性能、否则这不会改变结果。  这可能意味着测量中的带宽较低。

    此致、

    Lee

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    感谢 Lee、

    其他一些问题:

    1.对于图5和图6所示的数据,我们是否知道测试条件是什么?

    1A。 只要我将每条线路的单端电压保持在 VDD 电源范围内、我是否能期望这种性能?

    再次感谢。

    Don
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    您好、Don、

    我没有图5和图6的具体设置信息、但收集了 VDD 和温度范围内所有可能的差分路径(A0 - B0、A0-C0、A0-A1等)的数据。

    对于单端操作、如果您的单端通道成对使用(如 A0+至 A1+)、则可以预期类似的性能。  由于封装键合线和器件上耦合电容 非常接近、因此在一个单对内会出现更多耦合。

    建议的电压范围从-0.9V 扩展到2.9V、超过2.9V、您可能会遇到带宽的小幅降低。  这不应给 LVCMOS 单端信号带来任何问题、因为典型开关阈值通常设置为1.5V 或~ VDD/2

    此致、

    Lee