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[参考译文] DP83867E：XI/XO 接口模型

admin
Guru**** 2905440 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/796446/dp83867e-xi-xo-interface-model

器件型号：DP83867E

我下载了用于 DP83867ERGZ 的 ibis 模型。 但是、ibis 模型没有任何有关25MHz XI、XO 接口的信息。 我们需要对该接口进行仿真、以使自己确信我们符合 TI 规范。 您能帮我们获取此 XI/XO 接口的模型吗？

 

对于该接口、我将 FC7BACBMI25.0晶体与 R1 = 50欧姆电阻器串联用作 XO 源端接电阻器–请参阅下图。 50欧姆可以是其他值、具体取决于仿真结果。 CL1=CL2 = 30pF。

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    TI__Guru**** 2905440 points
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    尊敬的 Micheal：

    IBIS 模型不支持 XI/XO 接口的仿真。 查看 FC7BACBMI25.0的数据表、它看起来晶体的负载电容值为20pF。 根据一般经验法则、晶体的每个单个引脚上的电容应约为数据表中负载电容值的两倍。 在本例中为40pF。 我建议将每个 CL1/CL2更改为36pF、以考虑由布线和 IC 封装添加的寄生电容。 50欧姆的串联电阻正常。

    此致
    Aniruddha
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    TI__Guru**** 2905440 points
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    假设杂散电容= 5pF。 因此、CL1=CL2 = 2*(20 [对于 xtal]–5 [对于杂散])= 30pF。 有道理？

    我们认为该 XI/XO 接口存在故障模式、即 PHY 可以在晶体频率的谐波下工作。 我们如何对该接口建模、以便我们知道 PHY 仅在晶体频率下工作、而不是在谐波上工作？
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    TI__Guru**** 2905440 points
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    尊敬的 Micheal：

    由于我们正在通过电子邮件处理此问题、我现在将关闭此主题。

    此致
    Aniruddha