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[参考译文] DP83867E:XI/XO 接口模型

Guru**** 2874300 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/797294/dp83867e-xi-xo-interface-model

器件型号:DP83867E

假设杂散电容= 5pF。 因此、CL1=CL2 = 2*(20 [对于 xtal]–5 [对于杂散])= 30pF。 有道理?

我们认为该 XI/XO 接口存在故障模式、即 PHY 可以在晶体频率的谐波下工作。 我们如何对该接口建模、以便我们知道 PHY 仅在晶体频率下工作、而不是在谐波上工作?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Michael、

    使用正确的负载电容时、极不可能实现第三个过音。
    除了 IBIS 的引脚特性外、我们没有 XI/XO 模型。

    基频的增益比第3个或第5个泛音强得多、应防止 PHY 在基频之外稳定。