您好！
美好的一天！
我有一位客户对此进行了跟进询问。 据他说、这个 e2e 帖子最初是由他们的团队成员之一发布的、但他们仍在寻找答案。
下面是他所关注的一个情景：
“我们在设备(真空)测试期间出错。 在同一电路板上的四个器件(75%)中的三个器件(5962-9865101QFA：DS90LV031AW-QML)中也发生了相同的错误。
测试条件为低电平。
℃温度：30 μ V
压力：第一次测试[1.7*10^-7 mbar]-热真空室工作时间10小时
第二次测试[5.5*10-6mbar]-热真空室工作时间10小时
第3次测试[与第1次和第2次测试类似]-真空室热运行时间为10小时
部件故障编号：3次
我们尝试了热真空测试超时时间。
当我们打开 DUT 时、会检测到第1次和第2次测试失败。
在测试中检测到第3次测试失败。
有些故障部件具有相同的位置、但我们认为故障位置是斜坡。
我们的 DUT 使用许多 IC、但90LV031仅破坏了这种热真空状态。
尽管我们在环境条件下以1000小时的时间运行 DUT、但在热真空条件下它仅工作10小时。 我们是否忘记了有关热真空状况的一些注意事项？”
客户已在此附上有关电路、错误历史记录和购买信息的详细信息：
“MR-K7-IBMU-EM-007_SPW 链接错误.pdf”
他希望回答以下问题：
1.在真空测试期间或在真空测试之前、设备很可能会遇到某种形式的电气过载、这种电气过载的形式是什么、我应该采取什么措施来防止它？
2.您能通过查看我所附的文件(MR-K7-IBMU-EM-EM-007_SPW 链接错误.pdf)来告诉我芯片的哪个电路损坏了吗？ 可以看到所有五个故障器件在同一位置熔化。
请告诉我们发生此错误的原因。 我还想听听您对这些行动的经验和意见、以及我们可以采取哪些措施来防止这些失误？
提前感谢、
艺术
