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[参考译文] DP83848VYB:EMI 合规性和辐射

Guru**** 2382480 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/863067/dp83848vyb-emi-compliance-and-emissions

器件型号:DP83848VYB

我们 在之前的设计中使用的是 DP83848、 而在不同的设计中使用的是 Microchip 的 LAN8742A。

两者均采用25MHz 晶体。

并且两种信号的发射均为50、100、150、200、250、300、350、500、550MHz (谐波)。

我们在200、250和550MHz 频率下未通过初步 EMC 认证。

如何消除这些问题?

我们的设计与 Microchip 器件(LAN8742A)的参考设计之间的唯一显著区别是:

在开发套件上、微控制器和 PHY 之间的距离大约减少4倍。 我们将在下一个旋转中使 UC 和 PHY 更接近。

2. RMII_MDIO 和 RMII_MDC 线路在 DEV 上似乎已路由为差分对。 我们将在下一个旋转中将它们路由为阻抗匹配的差分对。

它们使用的外部磁性元件在其下方没有任何接地平面或电源平面、我们具有内置磁性元件的连接器位于系统 GND 和3V3电源平面的顶部。 我们将清除其下方的平面、并将其周围的系统 GND 和机箱 GND 与 DNP 电阻对称连接、以便能够对 EMI 测试结果进行实验。

其中一个参考设计在 UC 和 PHY 之间的每个 RMII 布线上都有100R 内联电阻器。

还有其他建议吗?