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[参考译文] SN65HVD75:A/B 引脚的内部 ESD 规格

Guru**** 2507255 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/862232/sn65hvd75-internal-esd-specs-for-a-b-pin

器件型号:SN65HVD75

大家好、

A/B 引脚的内部 ESD 是否有任何规格、例如 反向关断电压/击穿电压/浪涌钳位电压?

谢谢、致以最诚挚的问候!

Hao

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    Hao、

    遗憾的是、TI 未对内部 ESD 单元进行表征。 请参阅 数据表第16页的图18以了解相关信息。 A/B 引脚的关断电压大约为16V、电池将在 电压高于电压时开始获取电流。 钳位可能会因 工艺变化而变化。  客户的问题是什么? 如果您想了解 具有不同 ESD 性能(如浪涌保护)的新 TI 器件、请参阅此帖子。

    e2e.ti.com/.../849650  

    此致、

    Hao

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    您好 Hao、

    客户发现 A/B 引脚存在一些故障、即使在两个引脚上都添加了15V TVS。 因此、他们希望了解内部 ESD 的规格、以检查可能的原因。 这就是我要求提供规格的原因。  

    谢谢、致以最诚挚的问候!

    Hao

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    Hao、

     要进行调试、您可能需要 对 故障进行一些分析。 如果 EOS 事件超出 TVS 二极管的工作区域、IC 仍可能损坏。 如果您有更多问题、请告诉我。

    此致、

    Hao