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[参考译文] TPS25830-Q1:如何设计 TPS25830的电路。

Guru**** 670100 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD85312Q3E
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/784047/tps25830-q1-how-to-design-circuit-of-tps25830

器件型号:TPS25830-Q1
主题中讨论的其他器件:CSD85312Q3E

降级器、

我有一些问题。

为了限制 VBUS 的电流、我应该将其添加到选项电路中。(FET)

-> 是否要为选件电路推荐 FET?

->是否应将 FET 用于 Ls_GD? 如果我在 Ls_GD 中应用一个 FET、问题是什么?

为了感应电流、我应该使用 Rsns 进行电流限制设置。

->您想推荐 Rsns 的电阻器吗?

如果我不使用 DM 和 DP 的引脚、如何设计电路?

请为此提供帮助。

谢谢。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Park、

    我们在设计中使用了 TI 背对背 FET,您可以参阅 CSD85312Q3E。  

    外部 FET 有不同的应用、您可以参考附加的文件。  如果您不使用外部 FET、则可以使用降压平均电流限制功能。 您可以在数据表第28页看到的详细信息(无外部 MOSFET)。

    我不知道您的设计的最大输出电流,如果是 C 型设计,我们建议您为 Rsns 选择15mR。  

    如果您的设计中不需要 DP/M,只需将其悬空即可。  e2e.ti.com/.../PSIL040E1_2800_001_29005F00_Sch.pdf

    e2e.ti.com/.../1586.TPS25830_2D00_Fet_5F00_-_2800_2_2900_.pdf