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器件型号:DS100BR410 请告诉我 DS100BR410的电源旁路情况。
在数据表的第15页中、它指出电源旁路设计中还应包含电容为2.2µF μ F 至10µF μ F 的三个电容器。
对于超低 ESR 陶瓷电容器、您建议使用哪些特性?
此外、您会推荐什么陶瓷电容器?
此致、
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请告诉我 DS100BR410的电源旁路情况。
在数据表的第15页中、它指出电源旁路设计中还应包含电容为2.2µF μ F 至10µF μ F 的三个电容器。
对于超低 ESR 陶瓷电容器、您建议使用哪些特性?
此外、您会推荐什么陶瓷电容器?
此致、
您好!
这取决于应用。 或低温变化和低 ESR。 在10G 速率下、超低 ESR 陶瓷电容的额定值可能会过高。 有关建议的电容、请参阅 DS100BR410 BOM。 典型的 X5R 电容就足够了。 以下是 EVM 原理图和 BOM 的链接:
此致、Nasser