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[参考译文] DS110DF410:DS110DF111

Guru**** 2386610 points
Other Parts Discussed in Thread: DS110DF410
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/737336/ds110df410-ds110df111

器件型号:DS110DF410

你好。

我的问题是关于 DS110DF410 ADDR_0 - ADDR_3引脚

  读取 I2C 地址时、此输入是否具有默认状态、而不连接 POWER_UP 上的 GND/VDD;或者此引脚是否必须连接到 GND 或 VDD (通过电阻器)。

换言之 ,如果保持悬空,该引脚在功率上会被读作高电平还是低电平?

谢谢你。

Andrzej

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    您好 Andrzej、

    这些引脚与锁定指示共用、锁定指示在高电平时为真。 因此、我相信这些引脚处于低电平状态(即地址0x30)。

    此致、Nasser
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    你好 Nasser。
    感谢您的重播。
    如果我理解正确,在加电期间将保持悬空的引脚(ADDR_0、ADDR_1、ADDR_2、ADDR_3)将被读作低电平。
    上拉电阻器的建议值是多少?
    这是在 ds110df410.pdf 或任何其他文档中的某个位置记录的吗?
    我们在同一总线上有6个器件、如果我们能够将其中一些器件悬空、这将为我们的设计节省大量空间。
    另一个问题-由于有16个 I2C 地址可用、我们只需要6个不同的地址、因此该地址必须是顺序的(0x30、0x32、0x34、0x36、0x38、 0x3A)或该地址是否为随机地址)。 此器件将从单个 EEPROM 读取配置。
    谢谢你。
    Andrzej
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    你好 Nasser。
    感谢您的重播。
    如果我理解正确,在加电期间将保持悬空的引脚(ADDR_0、ADDR_1、ADDR_2、ADDR_3)将被读作低电平。
    上拉电阻器的建议值是多少?
    这是在 ds110df410.pdf 或任何其他文档中的某个位置记录的吗?
    我们在同一总线上有6个器件、如果我们能够将其中一些器件悬空、这将为我们的设计节省大量空间。
    另一个问题-由于有16个 I2C 地址可用、我们只需要6个不同的地址、因此该地址必须是顺序的(0x30、0x32、0x34、0x36、0x38、 0x3A)或该地址是否为随机地址)。 此器件将从单个 EEPROM 读取配置。
    谢谢你。
    Andrzej
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    e2e.ti.com/.../Understanding-EEPROM-Programming-for-10G-to-12.5G-Retimers_5F00_10_2D00_8_2D00_2015.pdfHiAndrzej,

    1)。 通常、LVCMOS 输入或输出上存在弱上拉或下拉。 请注意数据表参数表中提到的泄漏电流。

    2)。 您可以对 ADDR0至 ADDR3使用1K Ω 上拉或下拉电阻。 这是我们用于评估板的值。

    3)。 地址不需要按顺序排列、但这取决于您如何在 EEPROM 中为每个器件编程寄存器设置。 请随附注一份更详细地描述这一点的文档。

    此致、Nasser

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    你好 Nasser。
    我希望加强你的发言:
    '这些引脚与锁定指示共用、锁定指示在高电平时为真。 因此、我相信这些引脚处于低电平状态(即地址0x30)。 "
    当您说"我相信"时、我认为这在所有情况下都可能不正确。
    我们希望 SMB 地址引脚应读作"低电平"悬空。
    您能否提供有力的陈述,或者您能否向我们指出任何澄清此问题的文件? 这可以是相关电路的原理图或坚定的声明。
    谢谢、致以诚挚的问候。
    Andrzej
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    您好 Andrzej、

    我之所以说"我相信"、是因为我们的所有电路板和评估都在这些引脚上使用了上拉或下拉。 我建议在这些引脚上使用下拉或上拉电阻、因为这种方法更抗噪声。 此外、这些引脚为 LVCMOS 引脚、具有两个电平(低电平或高电平)。

    此致、、、Nasser