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https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/713598/iso5851-sic-mos-gate-drive-help-needed
您好！
请告诉我如何在此驱动器设计中设计 di/dt 保护电路。 由于 SiC MOSFET 具有快速开关操作，因此我们将如何检测准确的故障值。 如果有任何可用设计、请告诉我。
此致
子项
尊敬的 Subin：
可通过选择合适的栅极电阻器来限制 di/dt 速率。 在过流或短路事件下、di/dt 速率可能相当高、并可能导致系统中出现高电压尖峰。 在 ISO5852S 中、我们有一个 DESAT 保护功能来检测过流和短路故障、还有一个软关断功能来降低 di/dt 速率以避免高电压尖峰。 这是否符合您的目的？
此致、
熊
感谢您的回复。
实际上、我需要制造不同的保护电路：最重要的是适用于 SiC 逆变器的 di/dt (短路)保护电路。 因此我需要知道是否有任何参考设计可用于检测器件电流和负载电流、我可以对其进行采样并与某个参考值进行比较、然后向 pdcard 或 CPLD 提供脉冲以停止栅极驱动操作。
相关信息
子项 T
ISO58582S 具有适合您的应用的功能。 有关更多设计详细信息、请参阅 TIDA00195。 测试结果与 IGBT 有关。 但是、这些电路也可很好地用于 SIC。 如有任何疑问、请告知我们。
