您好!
我将 介绍 SLVA689、以了解如何计算 I2C 上拉值。
我可以看到第4页中的一个快速模式下上拉电阻器计算示例、在这个示例中、我可以看到总线电容被认为是200pF。
但根据表1、对于快速模式总线电容为400pf。 我想知道为什么在应用手册中采用200pF。
请澄清。
此致
哈里
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您好 Hari、
如果您希望以2MHz 的频率运行 I2C 总线、则需要使用具有上升时间加速器的 TCA9406。 该器件使用15pF 进行测试、并在该容 性负载下通过认证。 如果您的电容超过15pF、则可能无法实现2MHz 的全速。 您使用哪种工作模式? 您是否使用"高速"模式? I2C 标准 UM10204中概述了这些工作模式。 根据用于"高速"运行模式的 I2C 标准、最大上升时间10至100pF 为40ns。
模式用户使用的速度不能超过1MHz 的"超快速模式"。 您是否需要如此快速的数据速率? 我们有一个很好的培训视频、如果您刚刚开始使用 I2C、该视频可能会对您有所帮助。
https://training.ti.com/i2c-technical-deep-dive-japan-2018
如果您有更多问题、请告诉我。
-弗朗西斯·胡德
Hari、您好 、快速模式下的 Rp (max)计算结果对于100pF 的电容是正确的(~1.4k 欧姆)、Rp (min)有点偏、因为您将 VOL (max)用作 Vcc 的30%、这是不正确的。 VIL 是 Vcc 的30%。 您需要按照标准中的规定对 Vol (max)使用0.4V 电压。 您的方程式不正确。 我给您的图表是正确的、但您实施了错误的。 如果您更正了我所做的 spreedsheet、 那么 Rp (min)将得到145欧姆。 这些数字是正确的。
这是电子表格。 如果您有更多问题、请告诉我。
您好 Hari、
很抱歉耽误你的时间。
您是否正在尝试使用标准中概述的高速模式? 您必须检查您的硬件(微控制器)是否支持此模式。 这意味着下拉 FET 必须足够强(足够低的 FET 电阻)、以生成具有如此强的上拉电阻的低电平。 您能否向我发送有关用于生成 I2C 命令的微控制器的信息?您能否向我发送波形? 如果您的下拉 FET 在导通时的电阻不够低、则它将无法生成足够低的 VOL、并且它可能不低于从器件的 VIL。
我猜它为什么适用于更高的上拉电阻器。 在这种情况下、波形会有所帮助。 您能否发送显示缓冲器两侧以及 SCL 和 SDA 的波形。
为什么以2MHz 运行、这是一种异常的数据范围。 我建议在1MHz 时使用快速模式增强版、除非您需要更多的数据吞吐量。
-弗朗西斯·胡德