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[参考译文] DS16F95：接收器输出阻抗

admin
Guru**** 663810 points
Other Parts Discussed in Thread: DS16F95, DS16F95QML
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/671530/ds16f95-receiver-output-impedance

器件型号：DS16F95

我有一位客户尝试将 DS16F95与 MCU 连接。

客户对接收器输出的输出阻抗感兴趣。

此外、接收器输出摆幅如何接近电源轨以实现 H/L 输出？

谢谢。

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    TI__Guru**** 663810 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Gregory、可以通过 IBIS 模型估算阻抗。
    我看一下上拉和下拉参数、它们显示了强制电压时的输出关系。 这可用于估算阻抗。 对于下拉、我估计为~12欧姆。 对于上拉电阻(驱动高电平)、我估计为100欧姆。

    客户还可以使用 IBIS 模型来评估信号完整性。

    如果这回答了您的问题、请单击"验证答案"
    此致、
    涉水
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    TI__Guru**** 663810 points
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    我错过了第二个问题。 如果轻负载、驱动器将驱动非常靠近电源轨的电压。
    此致、
    涉水
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    TI__Guru**** 663810 points
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    在此应用中、我们从输出提供大约170uA 的电流。 在这种情况下、您的轻载假设是否仍然有效、如果不有效、我们如何能够更好地估算该负载的典型 VHigh 输出？
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    TI__Guru**** 663810 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    此外、似乎存在一些混淆、因为我们所讨论的芯片是 DS16F95QML RAD 强化版本、似乎没有与之关联的任何 IBIS 数据。 能否保证该器件的接收器输出将与正常 DS16F95的性能相同？  

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    TI__Guru**** 663810 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    用于商用器件的 IBIS 模型将代表 QML 版本。 请记住、这些模型不是签核质量、但仍然有用。

    仔细研究后、这项技术可能无法响应我在轻负载输出方面所说的那样。
    数据表显示了接收器相对较轻(最大)负载结果的规格。 对于负载仅为400uA 的 VOH、最小规格输出为2.5V。

    我能够与过去支持这些设备的同事进行核实、他为我提供了一些其他数据、这些数据将会有所帮助。

    驱动到 VCC 的输出实际上是一个通过输出晶体管连接到 VCC 的80欧姆电阻器。 因此、输出将是一个二极管压降加上通过80欧姆电阻的压降。 该规范非常保守、可能与满足传统规范相关。

    因此、在轻负载情况下、您应该会看到二极管压降+对于80欧姆电阻、电阻非常小。

    我还获得了一些特性数据：
    在非常轻负载(4uA)的情况下、室温下的输出应比 VCC 低约1.4V。
    在较高的温度下、压降较小、在125°C 时、压降大约比 VCC 低1.05。

    我在您的条件下执行了 IBIS 仿真。
    一个简单的20千欧接地电阻产生了175uA 电流、输出为3.49V。

    此致、
    涉水