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器件型号:HD3SS3212 我们正在认真考虑在我们的 USB3.1第2代通道中使用此器件。 在 TI 提供的 s 参数模型中、INS 损耗在高达4GHz 的频率下看起来正常、但之后会出现滚降、这是一个相当小的问题-因为通道的大多数其他部分都要好得多。 [在7.5GHz 的频率下、IL 比22in 的电缆差。]
但是、在 USB 建议的 TR=40PS 时、阻抗曲线对于 Zdiffmin/max 60ohm/120欧姆的偏移更有问题。 这似乎有点极端-而且肯定解释了5GHz 之后的大多数滚降。 我的问题是1)我的 S 参数模型是否准确/真实? 它是否相关?.. DiffZ 是否真的如此极端? 2) 2)如果我担心 a)这是相当短的不连续性 、但 b) USB3.1 Gen2的规格为 86欧姆+/- 10欧姆。
任何见解或建议都将有所帮助。
Greg Fitzgerald