[参考译文] UCC21520：死区时间范围和精度

您好、Maarten、

可编程电阻器范围内应使用±20%容差数字。 我将在两个方面提醒您：

1. DT 引脚上的2.2nF 电容器绝对需要与 SiC MOSFET 配合使用、因为使用 SiC 可实现的更高 dv/dt 会将大得多的共模电流耦合到控制电路中、包括死区时间电路。 如果引脚上没有电容器、这些共模电流会在 DT 电路中产生高抖动(大于40ns、20kΩ μ A)。 将2.2nF 电容器靠近 DT 引脚放置将直接将共模电流分流到 GND 并完全缓解此问题。 在 DT 引脚上放置2.2nF 电容器也会引入少量抖动、约为所选死区时间的±2%。 这与共模电流引起的抖动无关。
2. A->B 和 B->A 之间的死区时间可能存在一些不匹配(请参阅数据表中的图24和图25)。 该不匹配值在20kΩ μ s 时通常不超过几纳秒、应随着死区时间的减少而改善。 对于精确的死区时间控制、这可能是一个相关的考虑因素。

关于可变死区时间、应该可以使用外部模拟电路通过控制 DT 引脚电流来调整死区时间、我们计划在面向 SiC 应用的未来参考设计中探索这种配置。 为了实现简单控制、可以对任何类型的电流源(BJT、运算放大器等)进行编程、以拉合适的死区时间引脚电流并生成所需的死区时间。 逐周期限制可能更复杂、尤其是在需要闭环控制的情况下、因为需要监控时序并将其通过隔离栅返回到控制侧。 使用可变开关频率时不应出现任何异常的并发症。 此外、通过使用可变死区时间电路、可以轻松地修整死区时间设置的±20%容差。

此致、