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[参考译文] DP83867IR:1000B-T 峰值电压低于限值。

Guru**** 2768865 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/934257/dp83867ir-1000b-t-peak-voltage-below-limits

器件型号:DP83867IR

Keysight 以太网合规性显示1000Base-T 峰值测试点 A 和 B 中的故障、RBIAS 为11K。

|1000 Base-T、A 点峰值输出电压(不带干扰信号)| 544.5mV |-83.7%| 670.0mV < 值 < 820.0mV|
|1000 Base-T、B 点峰值输出电压(不带距离信号) | 545.7mV |-82.9% | 670.0mV <|值|< 8200mV|

我们如何提高输出电平?

输出电平可以在哪个边界使用 RBIAS 进行修改?

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    您好、Matthias、

    您是否在 DP83867的所有通道或特定通道上看到了较低的电压峰值? 您能否共享脚本以启用您正在使用的合规性测试模式?

    我们不建议更改 RBIAS 值以更改 PMA 的输出电平。  

    此致、
    Justin  

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    您好 Justin、

    与此同时、我了解到、为了实现兼容操作、我需要对 PROG_GAIN.UNF_FUNC_MODE 寄存器(间接)进行编程。 甚至不能通过更高水平的以太网合规性测试、也不能用于正常运行。

    请在下面找到我的 uboot 命令

    MII 写入0x00 0x001F 0x8000
    MII 写入0x00 0x0000 0x0140
    MII 写入0x00 0x0010 0x5008
    MII 写入0x00 0x0009 0x3B00

    MII 写入0x00 0x000D 0x001F
    MII 写入0x00 0x000E 0x0025
    MII 写入0x00 0x000D 0x401F
    MII 写入0x00 0x000E 0x0480

    MII 写入0x00 0x000D 0x001F
    MII 写入0x00 0x000E 0x01D5
    MII 写入0x00 0x000D 0x401F
    MII 写入0x00 0x000E 0xF508

    A 对通过、A 点= 678.1mV、B 点= 679.2mV

    配对 B 失败、点 A = 585.6mV、点 B = 593.4mV

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    您好、Matthias、

    您是否已查看下面的"如何配置 DP83867进行合规性测试"应用手册?  

    https://www.ti.com/lit/an/snla239a/snla239a.pdf

    请注意、对于所有测试模式、应写入寄存器0x0025以在所需通道上输出测试模式、这与应用手册中提供的脚本中的不同。  

    寄存器0x0025 = 0x0400 //0400:通道 A

    //0420:通道 B

    //0440:通道 C

    //0460:通道 D

    此致、
    Justin  

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    您好 Justin、

    我使1000B-T 峰值电压低于与配对 B 的限值

    寄存器0x0025 = 0x0480 //所有端口

    寄存器0x0025 = 0x0420 //仅限对 B。

    还有其他保留寄存器、我可以在其中增加 TX 输出电平。

    此致、

    Matthias

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    您好、Matthias、  

     通道 A、C 和 D 上是否通过1000B-T 峰值电压?

    此致、
    Justin  

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    您好、Matthias、

    我正在关闭此主题、因为我没有听到响应。 如果您需要进一步的帮助、请创建新帖子并参考此主题。

    此致、
    Justin