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[参考译文] SN65LVDT14-EP：增加了偏置电源上的旁路电容器

admin
Guru**** 2392905 points
Other Parts Discussed in Thread: AMC1304L05, SN65LVDT14

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1197739/sn65lvdt14-ep-increased-bypass-capacitor-on-bias-power

器件型号：SN65LVDT14-EP
主题中讨论的其他器件：AMC1304L05、 SN65LVDT14

由于存在辐射问题、客户尝试在0.1uF 至0.47uF 的偏置电源轨上创建旁路电容器。 因此、辐射发射可减少2dB 以上、并保持更多的设计裕度。

但 d/s 上没有建议值 根据器件设计的前景、0.47uF 是否正常？ 或者需要验证哪些相关电气设备？ 非常感谢。   

应用：电机驱动

用例：AMC1304L05 + SN65LVDT14用于电机的相电流感应。

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    TI__Guru**** 2392905 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    请参阅 SN65LVDT14 (不带-EP)数据表的第9.2.2.4节。 它建议100nF 和1nF 并联、较小的电容器最靠近芯片。 ("更小"表示具有最低电感的最小封装。)

    在电路板上、电容器靠近芯片、但 SAGND 连接会通过长迹线到达其他位置。 是否没有接地平面？

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    TI__Guru**** 2392905 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    为了在系统中获得更好的 RE 性能、旁路电容器需要高达0.47uF。 如果是这种情况、那么器件的未来是否存在问题或副作用？ VCC 引脚的峰值灌电流/拉电流是否能够在运行期间维持该浪涌电流？

    工作频率 对于 ISO 调制器、频率约为20MHz。

    此致

    Brian   

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    TI__Guru**** 2392905 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    100nF + 1nF 建议适用于同样符合 SN65LVDT14数据表第9.2.2和11.1节中所述其他建议的电路板。