[参考译文] SN65HVD3085E：数据表修订版 L 与 M 之间的热性能信息变更

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1217519/sn65hvd3085e-thermal-information-change-between-datasheet-rev-l-and-m

器件型号：SN65HVD3085E

您好！

由于增加了新的制造场所和组装地点、我收到了有关 SN65HVD3085E 数据表更改的 PCN 信函。

理解是否正确、即 D/S Rev.M 上的新热性能信息是重新测量的值、这些值可应用于所有 SN65HVD3085E？

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1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 669750 points

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大家好、

只有所生产的新材料才会具有更新的热参数-如果您从经销商处收到旧材料、或者如果我们有旧材料留在库存中、它将保留旧材料的热参数。

此致！

帕克·道德森

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 669750 points

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大家好、Parker

感谢你的帮助。

让我更详细地谈谈 D/S 版本 L 和 M 之间的热性能信息变化。

RΘJA RΘJC、RΘJB μ V 和 μ V (顶部)在 revM 上降低了、而 Δ I 变得更高。

R θ RθJB 定义为到 PCB 热阻的结点、PCB 通常是器件散热的主要路径。

RΘJB Δ V 升高、我认为这意味着器件的散热能力会变差。
而另一方面、R θ RΘJA 变低。我想这表明热性能变得更好。

非常感谢您告诉我上述原因。

谢谢。

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0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 669750 points

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大家好、

部件经过重新设计、新裸片采用不同的工艺制造。不同的工艺会导致热变化-通常说、由于该器件中新芯片型号的新物理特性、这种趋势在热性能方面通常略微变差。

对于上述的特定规格-它们测量不同场景中的热性能。新芯片在电路板和引脚/IC 封装底部之间具有更高的热阻。这意味着电路板温度对结温的影响要高于先前器件。但其他规格显示的是环境温度/外壳温度和结温之间的关系-因此、它们正在研究不同但相关的规格。因此、电路板温度在新器件上更为重要-但外壳和环境考虑因素在过去并不那么重要。

我会说、在绝大多数应用中、我个人并不知道有任何、这些更改没有给客户带来负面影响、因为这些更改通常只会在器件以最大条件运行时才会产生影响、即使如此、也可能不会出现问题、具体取决于系统的物理布局。需要知道的一点是、这些值会根据系统参数而大幅波动-对于这些参数、我们提供了非常好的通用说明、您可以在此处找到这些说明：www.ti.com/.../spra953c.pdf

此致！

帕克·道德森

0 admin 12 个月前

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大家好、Parker

感谢您的评论。

通过重新设计和工艺变更、您是否也进行了裸片缩小？

谢谢。

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0 admin 12 个月前

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大家好、

我唯一能够真正说明的信息是 PCN 中发布的信息-晶圆厂/工艺发生了变化、这并没有真正影响电气规范、但由于更新后的更高效工艺会导致芯片的物理特性略有不同、热参数发生了变化。

此致！

帕克·道德森

0 admin 11 个月前

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大家好、Parker

感谢您的评论。

我明白了这一点。

谢谢。

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0 admin 11 个月前

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大家好、Parker

我有个好主意。"

在变化前后、您是否有任何结点或表面的实际测量温度数据？

谢谢。

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0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 669750 points

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大家好、

这些规格基于 IC 的热模型、而该热模型基于裸片/封装的物理属性-因为这些规格会随系统显著变化(如先前答复中的应用报告所述) 我们无法共享有关这些规格的直接数据。

此致！

帕克·道德森

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 669750 points

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大家好、Parker

感谢您的建议。

这是否意味着 D/S 中所述的热参数是根据热模型的仿真结果指定的、而不是基于实际测量数据。

谢谢。

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0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 669750 points

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大家好、

根据我的理解、是的、没错；我们是通过热模型生成热数据的、它不是直接测量的。这主要是由于系统中的变化-因此具有基本热模型最终会更有帮助、因为它没有将我们的测试环境包含在规格中(这会对有效热阻抗值产生很大影响)。

此致！

帕克·道德森

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