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[参考译文] TUSB2E11:输出差分与规格

Guru**** 2552010 points
Other Parts Discussed in Thread: TUSB2E11

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1242509/tusb2e11-output-differential-vs-spec

器件型号:TUSB2E11

大家好、

从数据表可以看出、TUSB2E11器件上的 eUSB 输出为~400mV 差分电压。

 

根据规格、端接电压需要接近~200mV、未端接电压为~400mV。

为什么器件的摆幅设置为400mV 而不是200mV?

谢谢!

奥斯汀·艾伦  

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    您好、Austin:

    感谢您指出这一点!  可能是一个拼写错误。  我会联系作者并告知您相关解释。

    此致、

    尼古拉斯

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    您好、Austin:  

    规格和数据表之间的 TX_DIF 测量方式略有不同。

    在数据表中、您将看到、TX_DIF 是 以 Tx_CM 为基准进行测量的、并且只是来自0V 的"峰值"测量值。  数据表中的 Tx 差分测量值为"P2P"或以0V 为基准的峰峰值。  这就是为什么测量值会翻倍的原因。

    如果有道理、请告诉我。

    此致、

    尼古拉斯

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    嗨、Nicholaus:

    谢谢您的讲解。  

    我阅读后发现、此接口的共模设置为200mV (数据表中的 VE_TX_CM 与 eUSB spev 中的 VTX_CM 匹配)。
    因此、即使 Vpp 为400mV、这也意味着:

    400mV 时的 VTX_ED+、

    VTX_ED-为0V、

    差分摆幅为400mV。 ({200+200}–{200-200})?

    例如、如果 CM 为300mV、这会有所不同、那么400mV 的 Vpp 差分可能意味着:

    400mV 时的 VTX_ED+

    VTX_ED-在200mV、

    差动摆幅为200mV。({100+300}–{300-100})

    您能确认是哪一个吗?

    谢谢!

    奥斯汀·艾伦

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    您好、Austin:

    您可以参阅数据表中的图11-4眼图以查看差分为~400mV。   eUSB 规范中的 TX 眼图模板使用这种类型的测量 (ED+- ED-)、它必须大于300mV。

    这就是 规范中~400mV TX_DIF 的背后的理念。  数据表中 USB 规格值 在800mV 下以相同的方式定义。

    我赞同更新数据表规格的建议、以免在将来造成混淆。

    此致、

    尼古拉斯