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https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1256164/sn65c1167-sn65c1167nsr-being-replaced-with-sn65c1167ensr
团队成员好、在将 SN65C1167NSR 替换为 SN65C1167ENSR 时有何差异(综合列表)。 这是在最近的 PCN 中提出的。
唯一的区别是 E 器件具有更好的 ESD 保护功能。
尊敬的 Kannan：
主要区别在于 SN65C1167E 提高了 ESD 性能-"E"版本具有 CDM、HBM、IEC 61000-4-2 (气隙和触点)规格-非"E"版本未提供此信息。
此外、还有一些其他细微差异-这些差异应该不会影响大多数应用程序-但边缘情况可能存在。 具体如下所示：
1."E"版本的器件上的 D、DE 和/RE 在输入到 VCC 之间没有 ESD 二极管、因此绝对最大额定值为7V、而不是 VCC + 0.5V -仍有一个 ESD 二极管接地。 这意味着单端逻辑输入端不存在正钳位电压。 因此、不应存在任何应用差异、因为当前使用的器件比"E"版本的限制更严格。
2. Y/Z 引脚的典型输出差分幅度和 VOH 会略好一些-"E"版本的 VOH 通常为3.5V，非"E"版本的为3.4V。 VOD (在100欧姆范围内)通常为3.7V 至3.1V、因此这应该只会对系统有利、不会带来不利影响。
3.在"E"版本上，典型和最大驱动程序传播延迟会稍慢一些。 它的典型值为8ns、最大值为16ns、而不是7ns、最大值为12ns、与非 E 相比-但是对于该器件在该差值下运行的数据速率、该器件应该不会影响大多数应用-但有一个微小的差异。
4. 在"E"版本上的典型驱动器脉冲偏移会略大、通常为1.5ns、而非 E 版本为0.5ns、但它们的最大额定值均为4ns。
5.最大驱动器下降/上升时间在"E"版本上稍快-其8ns、而非 E 版本为10ns -但两个器件通常约为5ns -因此它不应对大多数应用产生影响。
6."E"型接收器的典型 启用/禁用时间略快。 与13ns 相比、"E"版本可将接收器启用的时间通常为7ns、而"E"版本可将接收器禁用的时间通常为12ns、而非"E"版本可禁用的时间为13ns。 通常、这不会影响应用。
最终、这些变化并不是很大-它们最微不足道。 只不过在"E"器件上增加了更多 ESD 保护。
如果您有任何其他问题、敬请告知！
此致！
帕克·道德森
