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[参考译文] 关于多个 SN65MLVD201器件连接到总线时中间节点上严重的信号质量反射问题

Guru**** 670830 points
Other Parts Discussed in Thread: SN65MLVD201, DS90LV001, DS10BR150
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https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1274311/regarding-the-serious-problem-of-signal-quality-reflection-at-intermediate-nodes-when-multiple-sn65mlvd201-devices-are-connected-to-the-bus

主题中讨论的其他器件:SN65MLVD201DS90LV001DS10BR150

您好!

   我的设计是具有一个插入了10个卡的总线背板。 每个卡都有一个总线接口芯片 SN65MLVD201器件、并且总线两端都有100R 终端电阻器。 中间插槽中的卡接收到的总线信号质量差、反射严重、导致信号识别错误。 我想问一下、我们是否有任何优化解决方案

   期待收到回复!

   此致!

   贝里尔

                                                                             

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    残桩的长度是多少? 如果它们太长、您可能需要像 DS90LV001或 DS10BR150这样的缓冲器。

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    您好,Beryl,

    通常、由于这些卡离端接电阻器更远、因此在中间插槽中的信号性能会更差。

    就像 Clemen 提到的、存根长度、插槽间距和特性阻抗等因素都会对信号质量造成不良影响。

    我们还有一段视频、介绍如何针对 M-LVDS (在背板应用中使用 M-LVDS 进行设计)进行正确设计

    此致、

    约什

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    您好!

      我们的结构是有限的,槽 形是常规的、我们测试了差分信号波形和芯片单端输出、 如下图

      

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    从背板总线到插槽接收器的残桩长度是多少?

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    总长度 ,2英寸,有两个连接器通过了 μ m 结构、如图所示

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    您好,Beryl,

    是否有可能缩短存根的长度? 此外、电路板设计的特征阻抗是多少?

    此致、

    约什

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    Josh、您好!

       它可以减少残桩长度、但可以减少的不多、并且 特征阻抗是为100Ω 设计的。

     另外再 看一下我上传的波形,就是 SN65MLVD201D 接收差分信号 ,低电平时间近9ns ,差分到单端输出信号的低电平时间减少了7ns ,这个单端信号被发送到 FPGA , FPGA 接收的低电平信号需要≥7.5ns。

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    您好,Beryl,

    可以、如果可以进一步缩短残桩长度、这将更好地提高信号完整性。  

    通常、您希望特征阻抗高于典型100Ω。 原因是、当您使用卡加载背板时、有效阻抗将会低得多。 一条良好的经验法则是具有130Ω 的特性阻抗。

    最可能的情况是、当加载10个卡时、您的有效阻抗将与端接电阻器不匹配。 您可以降低端接电阻器的值、看看这是否提高了信号质量。  

    此致、

    约什

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    你好,Joshua

     我会根据您的建议尝试降低端子电阻、合适的端子电阻是多少?  另外、我想说的是、在前一版本中、我们的电路板已正常调试和通信。 然而、在升级主板后、版本不工作。 我们担心每次移动板时、可能会涉及重新匹配。 有没有其他更好的芯片解决方案推荐

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    您好,Beryl,

    由于特征阻抗最初是100 Ω、您可以尝试使用80 Ω 或70 Ω 作为端接电阻器

    您提到进行了修订。 与原始电路板相比有什么变化?

    此致、

    约什

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    你好、Joshua、

        修订版本的原因是测试过程中出现了一些问题并且需要更换 PCB、有时会 轻微移动布线。 前面提到、一条 良好的经验法则是具有130Ω 的特性阻抗、无论  背板总线和残桩 是否都设计为130Ω?、以及是否在残桩  未完全插入时也适用。

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    您好,Beryl,

    经验法则适用于背板总线。 正确、在残桩未完全插入时适用。

    此致、

    约什