请帮助我检查原理图是否正确?还有其他问题或需要更改的地方吗?
e2e.ti.com/.../HCT_2D00_TCAN4550_2D00_20231113_2D00_1.pdf
根据您之前的建议、我们进行了修改、具体说明如下:
1. VSUP 电压范围为6~24V。 我没有看到电路中连接了多少电压、因此请注意此处。 此外、电路中的电源电压只使用一个旁路电容器。 建议参考 EVM 用户指南中的电路。
——电压为12V,来自电池电压;
2. Vio 的电压可以是3.3V 或5V。
——将 VIO 电压调整到3.3V;
3、电路的许多部分都看不到。 对于连接到 SoC 端子的引脚、8 (nINT)和9 (GPO2)是开漏输出、上拉电阻需要上拉至 Vio。 上拉电阻范围可在2千欧姆至10千欧姆之间。
---引脚8和9已被上拉到 VIO;连接到平台的部件已经历了从1.8V 到3.3V 的电平转换;
4. CAN 和 CANL 输出端子的电阻值 R3和 R4为60欧姆匹配电阻、C2的值可以为4700pF。
--按建议修订;
5.我认为晶体振荡器的负载电容为22pF、与规格组合使用可得到。 晶体振荡器的电容值、则应符合晶体振荡器的负载电容值。 如果振动无法正常开始、您可以参阅以下有关晶体振荡器选择和设计要求的应用手册: www.ti.com.cn/.../slla549.pdf
——晶体振荡器的负载电容已根据晶体振荡器的规格进行了调整;