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[参考译文] SN55LVDS31-SP：针对5962-9762101VFA (SN55LVDS31-SP)和5962-9762201VFA (SN55LVDS32-SP)的 ELDRS 报告

admin
Guru**** 2615775 points

Other Parts Discussed in Thread: SN55LVDS31-SP, SN55LVDS32-SP

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1385935/sn55lvds31-sp-eldrs-reports-for-5962-9762101vfa-sn55lvds31-sp-and-5962-9762201vfa-sn55lvds32-sp

器件型号：SN55LVDS31-SP
主题中讨论的其他器件： SN55LVDS32-SP

工具与软件：

你(们)好  

您能否提供  5962-9762101VFA (SN55LVDS31-SP)和5962-9762201VFA (SN55LVDS32-SP)的任何 ELDRS 报告？

此致、

高桥则之

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    TI__Guru**** 2615775 points
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    您好、Noriyuki-San、

    我在数据表中没有看到 ELDRS 的任何参考。 我们的一些器件确实提到了此 参数、例如 SN55LVCP22A-SP QML V 类2×2 1Gbps LVDS 交叉点开关数据表(TI.com)。   产品文件夹中的"技术文档"部分下提供了我们拥有的有关该器件的所有辐射数据。

    谢谢您、Amy

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    TI__Guru**** 2615775 points
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    Amy

    是否采用 SN55LVDS31-SP 和 SN55LVDS32-SP CMOS 技术？

    我们知道 CMOS 的低剂量率性能优于高剂量率。

    此致、

    高桥则之

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    TI__Guru**** 2615775 points
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    您好！

    我会检查一下、然后回复给您。

    -Amy

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    TI__Guru**** 2615775 points
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    您好、 Noriyuki-San、

    我已经了解到这些器件是双极/CMOS 混合工艺。

    此致、Amy