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[参考译文] ONET1101L:onet1101L 的阻抗匹配引起的额外功耗问题

Guru**** 2373240 points
Other Parts Discussed in Thread: ONET1101L
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1403490/onet1101l-the-additional-power-consumption-issue-caused-by-impedance-matching-of-onet1101l

器件型号:ONET1101L

工具与软件:

ONet1101L、数据表上规定芯片输出具有25欧姆的阻抗、这意味着需要使用阻抗匹配网络来实现输出部分中的阻抗匹配。 查看信息和实际测量结果后、添加低电阻电阻进行匹配会增加额外的功耗。 这意味着激光二极管的电流 I supply 将被电阻器损耗。 这是否意味着芯片的标称100mA 偏置电流和85mA 调制电流在实际用于负载时无法实现全功率?

但有必要实现负载的阻抗匹配。 根据实际测量结果、当电流为70mA 时、有效使用的只有大约45mA。 有没有办法避免如此大的损耗? 这对性能有严重影响

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Adah:

    图13和10显示了调制和偏置电流与寄存器设置间的关系。 该器件能够分别提供80mA 和100mA 偏置电流。

    1)。 请注意数据表的图19和20。 Frerrite 磁珠连接到输出 MOD+/-。 这意味着调制电流转储到器件的输出结构中。

    2)。 由于有交流耦合电容器、因此没有直流电流进入激光二极管。

    此致、Nasser