[参考译文] TMDS1204：ESD 串联电阻器

感谢您发送编修。

不要误解我、确切地说关于串行电阻器的   建议让我感到困惑、因为我不记得我曾见过此类 针对转接驱动器高速通道(例如 TI 的 DS280xxxx、DS280xxxx 、DS125xxxx、TDP2004xxxx)的建议。 尤其是最后一个、 它是一个非常新的元件、并且我有没有串联电阻器的 EVB。

所以、我只是想了解 TMDS1204是否有特定的内部电路、或者 建议只是 编写文档的另一种方法。 因为我没有充分的理由不会增加损耗。 说实话、我不知道串联电阻器可产生多少损耗、我也可以忽略这一点、所以我也问 TI 的估算方法。

让我再问一个问题。

几乎任何 ESD TVS 二极管都会极大地限制电压脉冲。 如果连接器上有8kV (IEC-61000-4-2)、则"ESD VTS 之后的电压脉冲将是... 比如说在大多数情况下、始终不增加10V 的电压。  IEC-61000-4-2定义  

按照 IEC61000-4-2时域(我看到它是电流而不是电压)：

那么、我们可以说 ICE-61000-4-2、8kV 脉冲具有类似的持续时间、但电压受 TVS 的限制。 让我以非常图表的方式  在电流线上绘制一条电压线(无快速复位器件)：

我想 TMDS 的内部 ESD HBM 保护也是一种 TVS。 我知道两个没有电阻的并联 TVS 不能作为单独的器件使用。 但是、 对于这种快速上升沿(ESD 脉冲)、电感的抗阻可能甚至比0r...2R 电阻更强。  转接驱动器引脚上的最终最大电压可能大于10V、但我很确定它比 HBM 定义的500V 小得多。

在我看来、内部 ESD HBM 保护应足以 "在"我知道的任何高速 TVS 之后"阻止其余 ESD 脉冲能量。
这就是 我不理解并询问"建议 ESD 保护元件的击穿电压为≥4.5V、Clampvoltage 为≤4.3V 的原因。 大于4.3V 的钳位电压需要在每个高速差分引脚上有一个 RESD"

如果我错过了什么、请告诉我。  

您好！

这里的问题是、我们无法控制 ESD 保护二极管选择、ESD 布局设计或实际 ESD 事件等、因为它是系统级设计和事件。 但同时、我们需要确保 TMDS1204本身不会因 ESD 冲击而损坏。 例如、如果有人选择一个钳位电压为12V 的 ESD 保护二极管、而 ESD 事件为10V、则该 ESD 保护二极管不会钳位并出现一个低阻抗路径来将 IESD 分流至 GND。 在这种情况下、TMDS1204输出将出现10V ESD。  我们在 TMDS1204数据表中列出的 HBM 和 CDM 旨在确保 IC 能够承受制造工艺、HBM 通常足以满足受控环境、但不足以进行系统级测试。 TMDS1204输出 I/O 也未设计为能够承受10V ESD 冲击、因此 TMDS1204 IC 很可能会因这一特定的 ESD 冲击而损坏。  

因此、我们在 TMDS1204数据表中输入了"建议 ESD 保护元件具有≥4.5V 的击穿电压和≤4.3V 的钳位电压"建议、作为限制 ESD 保护二极管选择的方法。  对于" 大于4.3V 的钳位电压需要在每个高速差分引脚上有 RESD"、旨在确保 TMDS1204输出 I/O 不会因低于4.3V 的 ESD 冲击而损坏、在这种情况下、Resd 提供了大部分 ESD 保护。  

Resd 会产生额外的插入损耗和回波损耗、因此建议的 Resd 为1或2 Ω、以尽可能减少插入损耗和回波损耗。 Resd 的选择如下：

• 符合特定的 IEC 级别要求
• 能够符合 HDMI TX 和 RX 电气合规性要求
• 无法通过 HDMI 功能测试

谢谢

David

你好大卫,谢谢你的快速回应!

我 在系统中使用 TMDS1204、DS280MB810、TDP2004  、您的评论是否 意味着此要求仅是该列表中 TMDS1204的特定要求？  

您好！

不同的器件会有不同的工艺和 ESD 设计结构、因此 TMDS1204数据表中的建议特定于 TMDS1204。

谢谢

David  

你好、大卫、好的、我明白、谢谢你！

我将进行一些计算、可能会在几天内再次提出问题。 请保持此主题处于打开状态。  

感谢您的服务。

TI 是否有任何材料可以在哪里找到 0欧姆电阻器或任何类似器件的回波损耗的任何仿真/估算？