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[参考译文] ISOUSB211DPEVM:PCB设计参数

Guru**** 2387830 points
Other Parts Discussed in Thread: ISOUSB211DPEVM
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1093586/isousb211dpevm-pcb-design-parameters

部件号:ISOUSB211DPEVM

您好,TI:

是否可以根据DPEVM获得诸如USB2轨迹宽度,间隙和厚度等PCB设计细节?  我还注意到,DPEVM使用3层PCB,这是不常见的。

谢谢!

安瓦尔

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    您好,Anwar,

    感谢您与我们联系。

    请注意,EVM ISOUSB211DPEVM是4层PCB,其中第2层主要由GND平面组成,而第3层没有任何迹线或平面,因此未在EVM用户指南中列出。

    关于您要求的其他详细信息,我将检查并与您分享跟踪宽度和厚度。 关于间隙,请确认您是否要参考D+和D-销之间的间距? 谢谢。


    此致,
    Koteshwar Rao

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    您好,Koteshwar,

    是的,请说明PCB上差速器D+和D-之间的间距。

    谢谢!

    安瓦尔

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    您好,Anward:

    感谢您的确认,请在下面查找请求信息。

    迹线宽度:20 mil
    迹线厚度:1 Oz铜(~1.4 mil)
    迹线间距:10 mil

    内部GND平面用于在USB线路上创建~90Ω Ω 的差分阻抗。 我希望这些内容能回答您的问题,谢谢。


    此致,
    Koteshwar Rao

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    您好,Koteshwar,

    谢谢你。

    我尝试了给定的参数,但D-和D+轨迹似乎太接近D-/D+旁边的针脚,如下图所示(DPEVM PDF文档第7页)。

    谢谢!

    安瓦尔

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    不用担心,我对PCB使用的参数略有不同。