This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] SN6501-Q1:布局建议

Guru**** 657500 points
Other Parts Discussed in Thread: SN6501
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1121975/sn6501-q1-layout-recommendation

器件型号:SN6501-Q1
主题中讨论的其他器件:SN6501

SN6501布局建议如下:

直接将电流环路闭合到芯片上、甚至为高频添加一个额外的电容器是否更好?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Ivan、

    感谢您的联系。

    是的、最好将直接连接到器件的电流环路尽可能短。 在示例布局图中、建议将所有 GND 点连接到 GND 平面、这最好是使电流环路尽可能短。

    是的、尽管布局图中未显示该值、但建议在 VCC 引脚上连接一个0.1µF μ F 的额外电容。 请参阅以下数据表中的快照、谢谢。


    此致、
    Koteshwar Rao

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    在辐射方面、是否最好将电容器直接连接到顶层的 IC 接地端、然后使用通孔而不是直接连接到接地层? 我知道、直接连接会在 IC 和电容器之间的返回路径中产生更小的电感

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Ivan、

    您的理解是正确的、直接连接在许多方面都有所帮助、包括将开关噪声降至最低。 即使在示例布局中、它们也直接连接到 GND 平面。 很抱歉、未明确提及、但它们确实连接在同一平面上、也连接到不同平面上的 GND 层、因此建议这样做。

    请告诉我这是否能回答您的问题、谢谢。


    此致、
    Koteshwar Rao