[参考译文] ISO7841：2G/3G/4G 调制解调器的干扰导致数据损坏。

您好、Robert、

感谢您的联系、很遗憾听到您所面临的问题。

具有射频的 ISO7841输出

我相信您是想分享另一张图片来显示 ISO7841输出端的抖动、而是不小心选择了上一张图片。 请务必分享 ISO7841输出端显示抖动的波形。

ISO7841以及 ISO7741和 ISO6741采用 OOK 架构、其中~450MHz 载波用于调制输入信号并通过隔离栅进行传输。 如果辐射源离 ISO7841太近、频率接近~450MHz 或其谐波的外部辐射可能会干扰 ISO7841通信。 当射频调制解调器位于同一 PCB 且非常靠近隔离器时、这种情况更有可能发生。 为了解决这个问题、我们建议在 ISO7841的 GND1和 GND2之间使用拼接电容器。 您提到您已经尝试了建议的解决方案、您能否分享有关已尝试的具体内容的更多详细信息？ Y 电容器还是使用内部 PCB 层形成的拼接电容器？ 我可以知道电容器的值吗？

请注意、ISO7341C 等较早的器件系列使用不同的架构、而不需要此类高频载波。 因此、我们不希望这些器件受到任何附近辐射的影响。

请务必分享请求的信息、以进一步帮助您解决问题。谢谢。

此致、
Koteshwar Rao

您好、Koteshwar、

感谢您的快速响应。

"我相信您是想分享不同的画面来显示 ISO7841输出端的抖动、而是不小心选择了上一幅图像。 请务必分享 ISO7841输出端显示抖动的波形。"

是的、我更新了屏幕截图。

我将记录我们很快尝试过的确切解决方案。

"请注意、ISO7341C 等较早的器件系列使用不同的架构、而不需要此类高频载波。 因此、我们不希望这些器件受到任何附近辐射的影响。"

我们需要11mm 的间隙和5.4KV 的5s 隔离。 这就是我们使用 ISO7841DWW 的原因。 您是否了解任何符合此要求的 TI 产品？

此致

您好、Robert、

感谢您的参与。 遗憾的是、DWW 封装仅在 ISO78xx 系列和器件 ISO7741中可用。 您可以考虑的另一种方法是使用两个串联的 ISO7341C 器件来实现更高的间隙。 我知道这不是最佳解决方案、因为它需要额外的电源轨、我只是尝试为您提供其他选项、除了解决当前正在评估的解决方案的问题。

我将期待您对您尝试解决该问题的实验的意见。 谢谢。

此致、
Koteshwar Rao

您好、Robert、

我想回顾一下、看看您是否有机会记录您已经尝试过的解决方案。 谢谢、请分享。

此致、
Koteshwar Rao

大家好、我们在 GND 引脚上安装了一个100pF Y6P 电容器、这没什么影响。

我们发现、将 IFM16-030EB300X200剪切到 隔离器之上可以有效地消除测试设置中的问题。 但是、这可能是由于我们的天线的位置所致。 但必须指出的是、该器件上的 EMI 吸收器会产生很大的影响。 作为一种解决方案、这是一种导电材料(尽管绝缘层非常薄)、会影响我们的爬电面积。 我们正在审查我们的标准、以了解我们是否有方法可以安全地使用此材料。

您好、Robert、

感谢您的宝贵意见、了解这一点非常有用。
是的、金属板确实有助于从任何方向吸收排放、我同意它们不是很容易整合。

是否可以分享器件和 Y-Cap 的照片、以展示如何将其焊接到器件上？ 该电容器对于远场发射抑制的效率要高得多、但对于近场发射、噪声耦合机制可以不同/多种。 如果可能、请尝试将此电容值增大到1nF 甚至4.7nF、并将其直接焊接到器件 GND 引脚上、引线可能最短。

我期待您的意见、谢谢。

此致、
Koteshwar Rao