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[参考译文] ISO7341-Q1:直流特性下的 Vi 值

Guru**** 656470 points
Other Parts Discussed in Thread: ISO7341-Q1, ISO7741, ISO7041, ISO7741-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/888518/iso7341-q1-vi-value-under-dc-characteristics

器件型号:ISO7341-Q1
主题中讨论的其他器件: ISO7741ISO7041ISO7741-Q1

我想使用 ISO7341CQDWRQ1。 在数据表中、我只知道交流特性下的 Vi 值;
但是、未找到直流特性下的 Vi 值。 例如、当 ISO7341C-Q1不发送数据时、芯片的输入状态通常为低/高、电流消耗值是多少。

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    尊敬的 Meng:

    感谢您发帖到 E2E!

    很抱歉、造成混淆、但 ISO7341-Q1指定了直流输入电压的电源电流消耗、如下所示:



    无论 ISO7341的输入状态和默认输出如何、这些直流电流消耗值都是相同的、因为与 ISO7741不同、该器件使用基于边沿的跨隔离栅传输、而不是开-关调制。 对于两种直流输入情况、数据都是连续传输的。

    您是否可以使用 ISO7741-Q1而不是 ISO7341-Q1? 这是我们在大多数应用中最可靠的器件、超出了 ISO7341-Q1的许多性能能力。 如果汽车(Q1)额定值不重要、ISO7041还提供明显更低的电流消耗规格。


    请告诉我这是否有用。


    谢谢、
    Manuel Chavez

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    竞争对手 SI8641ED-AS2 (芯片实验室)的数据表显示了两种测试条件下的 VI 值。

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    尊敬的 Meng:

    ISO7341-Q1规范在上述参数 I 中包括两个直流 VI 条件。 此器件在两种直流 VI 条件下的电流消耗相同。

    由于 Si8641具有不同的方法来跨器件的隔离栅传输数据、因此电流消耗会因直流输入状态而异。 这与 ISO7341-Q1不同。

    如果您正在寻找具有 Si8641等内部架构的器件、ISO7741-Q1的指定值如下所示:





    谢谢、
    Manuel Chavez