[参考译文] ISO7721：ISO7721 SOIC-16 DW 封装和 ISO7821 SOIC-16 DW 封装

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器件型号：ISO7721
主题中讨论的其他器件： ISO7821

您好！

似乎唯一的区别是可承受隔离电压。 ISO7821为5700 VRMS、ISO7721为5000 VRMS。对吧？

此外、ISO7721本身也是如此。 DWV (8)封装具有8.5mm 的间隙和爬电距离、DW (16)封装具有8mm 的间隙和爬电距离。但它们的主体尺寸宽度相同、为什么它们具有不同的间隙和爬电距离？

6 年多前

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2668435 points

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您好 Howard、

除了每通道电流消耗和封装选项外、ISO7721和 ISO7821之间的主要区别在于隔离等级。

请允许我确认一些有关间隙和爬电参数的详细信息、并在1-2天内跟进。

感谢你能抽出时间、
Manuel Chavez

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2668435 points

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曼努埃尔

由于 VIOTM、VIOSM、VIORM 在 ISO7721和 ISO7821 SOIC-16 DW 封装之间是相同的。

与 ISO7721相比、ISO7821 SOIC-16 DW 封装在价格上似乎没有很高的竞争力。我还没有遇到过只需要5700VRMS 更高耐压隔离电压的客户。

我能否得出结论、关于 SOIC-16 DW 封装、我只需要推广 ISO77xx？

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2668435 points

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您好 Howard、

任一封装中的 ISO7821都可由具有特定要求和更高隔离电压需求的客户选择。大多数客户发现 ISO77xx 器件符合他们的要求、因此可以广泛推荐此器件。请务必逐个确认客户需求、如果有任何疑问、请随时在 E2E 上发帖。

ISO7721DWV 和 ISO7821DW 之间的爬电距离和间隙差异来自沿器件表面测量的隔离栅两端的距离、如下图所示。在这种情况下、对于尝试满足两个器件相同额定电压的客户而言、8mm 和8.5mm 之间的差异是可以接受的。

感谢您发布到 E2E、
Manuel Chavez

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