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[参考译文] ISO3086T:数据表中的 ESD 声明

Guru**** 717560 points
Other Parts Discussed in Thread: ISO3086T
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/642209/iso3086t-esd-claims-in-datasheet

器件型号:ISO3086T
主题中讨论的其他器件:冲击

可能涉及的人员、

我对在当前设计中使用此器件感兴趣、但我担心数据表中的以下摘录:

"TI 建议不要使用 ESD 发生器测试设备瞬态易感性、也不要考虑产品声明

ESD 额定值高于隔离式接口的隔离栅瞬态额定值。 ESD 最好通过开槽来管理

或覆盖导电连接器外壳中的连接器引脚和安装器培训。"

 

考虑到数据表中的 ESD 声明为+/-11kV、我对这种说法感到困惑。

是否可以确认此部件是否满足以下要求:

- EN 61000-4 3级空气放电(+/-8kV)

- EN 61000-4 2级  接触放电(+/-4kV)

期待您的回应。

非常感谢、

Bhav

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    您好、Bhav、

    让我在这里尝试更加明确。

    数据表中11kV 的 ESD 声明是 HBM-ESD 额定值、其中在 RS-485总线引脚之间施加应力、以 GND2为基准(与 RS-485同一侧接地)。 这已经在数据表中进行了测试和声明。

    数据表中的声明建议使用各种方法来保护终端设备免受 ESD 类型事件的影响、以帮助提高最终系统的 ESD 额定值。 这与语句上方数据表中给出的示例直接相关、其中显示、如果设计正确、完整的瞬态波形将穿过 ISO 隔离层并保护所有其他元件免受损坏。 但是、如果瞬态电压超过隔离器的额定值、则可能会损坏隔离器。 此测试将在很大程度上取决于最终系统/终端设备上的设计/布局和组件。 (请注意、这是一个跨隔离层测试、其中基准为 GND1、而基准为 GND2的11kV HBM 则不同)。

    我知道您正在查看 EN/IEC ESD 标准。 如前所述、这是一种系统级标准测试、在很大程度上取决于终端设备的设计方式。 您能否通过更清楚地说明测试的目标方式来帮助我? 对于 EN 61000-4测试、我假设罢工点位于 RS-485总线上。 终端设备中的参考点(保护接地)连接在何处? 它位于 GND2还是 GND1上?

    我希望我能用这一答复回答你的一些问题。 请告诉我是否需要对任何解释作进一步澄清。

    此致、
    Anand Reghunathan

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    Anand、您好!

    感谢您的信息反馈。

    测试将按照 TI 应用手册中的说明进行:

    http://www.ti.com/lit/an/slva711/slva711.pdf

    我们将根据 ISO3086T 应用电路实施该器件、并按照上述注释中所述对外部总线终端执行 ESD 测试。  在这种情况下、我假设内部 ESD 保护以 VCC2和 GND2为基准、并分流这些瞬变并保护隔离层免受这些更高电压的影响?

    使用 ISO3086T 的应用电路、它是否通过以下级别:

    - EN 61000-4 3级空气放电(+/-8kV)

    - EN 61000-4 2级  接触放电(+/-4kV)

    期待您的回应。

    非常感谢、

    Bhav

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    Anand、您好!

    想知道您是否有机会查看我的上一篇帖子?

    期待您的回应。

    非常感谢、

    Bhav

    [引用用户="Bhavesh Tailor"]

    Anand、您好!

    感谢您的信息反馈。

    测试将按照 TI 应用手册中的说明进行:

    http://www.ti.com/lit/an/slva711/slva711.pdf

    我们将根据 ISO3086T 应用电路实施该器件、并按照上述注释中所述对外部总线终端执行 ESD 测试。  在这种情况下、我假设内部 ESD 保护以 VCC2和 GND2为基准、并分流这些瞬变并保护隔离层免受这些更高电压的影响?

    使用 ISO3086T 的应用电路、它是否通过以下级别:

    - EN 61000-4 3级空气放电(+/-8kV)

    - EN 61000-4 2级  接触放电(+/-4kV)

    期待您的回应。

    非常感谢、

    Bhav

    [/报价]

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    您好、Bhav、

    很抱歉耽误你的回答。 我在内部与团队一起检查此数据。
    4kV 似乎是器件内部保护的临界能力、它将在很大程度上取决于系统的设计方式。

    如果我们在总线线路(如 TVS)上有保护组件、则系统应能够通过更高的电平。 选择具有高峰值脉冲功率耗散和峰值脉冲电流的 TVS 将决定系统的放电能力和静电放电(ESD)电平。 如果系统针对这些电平、我建议安装这些总线保护组件。

    此致、
    Anand Reghunathan
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    Anand、您好!

    感谢您的追踪。

    您能否准确描述系统 是如何实现 +/-11kV 的?

    我们希望使用应用中实现的此器件、并将其安装到系统中、如下所示:

    在该实现中、我们预计会损坏隔离栅、还是会在此处应用+/-11kV 保护?

    进一步询问、您能否确认 ISO3086T-EVM-436隔离式电源的最大输出功率?

    期待您的回应。

    非常感谢、

    Bhav

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    抱歉、我在发布时似乎错过了图片。  请参阅以下内容:

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    您好、Bhav、

    数据表中引用的11kV HBM 测试与您要测试的 IEC/EN ESD 不同类型的 ESD 测试。
    HBM 测试是一种未供电测试、应力直接施加在器件引脚上(无保护组件)。 但 HBM 结果不能与 EN 61000-4 ESD 中的通过级别相关联。 因此、11kV 值不会应用于 EN ESD 测试。

    根据您之前对测试方法的解释、我了解 ESD 冲击将以 GND2为基准、而不是 GND1为基准。 这一点非常重要、因为它将确定器件的哪个部分将在 ESD 冲击中承受应力。

    如前所述、如果它相对于 GND2而言、隔离栅将不会出现问题。 这称为"同侧 ESD 测试"。 应力电压将施加在器件 RS-485引脚的内部 ESD 保护功能上。 对于此类测试、可以通过在总线上添加额外的保护组件(如 TVS)来进一步提高器件/系统功能。

    即使应力电压超过器件在同一侧 ESD 测试中的能力、损坏也将主要发生在器件的 RS-485部分、并且隔离栅应保持完好无损。

    此致、
    Anand Reghunathan