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[参考译文] ISOW7840:低频噪声

Guru**** 1821780 points
Other Parts Discussed in Thread: ISOW7840, ISOW7740
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1228671/isow7840-low-frequency-noise

器件型号:ISOW7840
主题中讨论的其他器件: ISOW7740

您好、

我在系统中使用 ISOW7840。 下面是 SCH。

我听说过 IC 的一些噪声。  我测量了 Viso 的纹波、发现上面有10K 低频噪声。

我尝试移除 C20、然后 IC 会正常工作。 不 存在低频噪声。

我在 µF 中找到了说明、输入去耦电容器应比输出电容器大至少100 μ F。

但 TI 在2021年删除了该描述。

所用 IC 的生产日期代码为2145。 我  µF 保持输入去耦电容器比输出电容器大至少100 μ F 吗?

现在我删除了 C20、一切正常、我可以像这样使用吗?

谢谢!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Cecilia:

    欢迎来到 TI E2E 论坛!

    感谢您分享与您的问题相关的原理图和详细信息。 ISOW7840支持可变调节频率、可在各种负载下提供最佳效率、其中调节频率随着输出负载的增加而增加、而随着输出负载的减少而降低。 因此、当未连接负载和存在大输出电容时、您可能会在 ISOW7840的输出端看到低频纹波。

    空载条件下的大输出电容允许 ISOW7840进一步降低其调节频率、从而有助于将输出保持在较高水平。 如果您不希望看到这样低的频率、那么您可以将 C20电容器的值从47µF μ F 更改为10µF μ F、这应该会将纹波频率增加到>10kHz。

    我能否保持 输入去耦电容器应至少比输出电容器大100 µF μ F?

    您无需在输入端添加这个可选的100µF μ F 电容器、没有这个电容器、一切应该运行正常。 这就是我们删除建议100µF 的原因。

    我还想指出的是、ISOW7840是我们具有集成直流/直流转换器的第一代隔离器。 我们还有第二代器件 ISOW7740、它比 ISOW7840有许多性能改进、我们建议您使用 ISOW7740。

    请注意、ISOW7840中的直流/直流转换器在器件中集成了电源变压器、这是通过以非常高的频率切换直流/直流转换器来实现的。 如果 PCB 设计不进行优化、这种高频电源开关可能会导致相对更高的辐射发射。 请参阅以下 E2E 博文、其中列出了我们通常建议用于实现最佳排放结果的优化。

    https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/806938/isow7841evm-isow7841evm

    同样、与 ISOW7840相比、ISOW7740需要进行的 EMI 优化要简单得多。 因此、我们建议您改用 ISOW7740。 请参阅以下简要介绍了如何使用 ISOW7740实现理想发射结果的应用手册。 谢谢、如果您有任何问题、请告诉我。

    如何通过 ISOW7741满足 CISPR 32辐射发射限值


    此致、
    Koteshwar Rao.

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Koteshwar、

    非常感谢您的答复。  

    现在、我知道噪声出现的原因。

    谢谢

    此致