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[参考译文] SN6505B:为 IGBT 栅极驱动器选择隔离式直流/直流偏置电源的拓扑结构

Guru**** 1963265 points
Other Parts Discussed in Thread: SN6501
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1444986/sn6505b-topologies-selection-of-isolated-dc-dc-bias-supply-for-igbt-gate-drive

器件型号:SN6505B
Thread 中讨论的其他器件:SN6501

工具与软件:

您好!

适用于逆变器和隔离式栅极驱动器偏置电源架构、例如 Fly-buck、LLC 和推挽式。

哪种拓扑更适合、应考虑成本、EMI、CMTI 问题、PCB 面积等

添加了、 LLC 拓扑的噪声在 EMI 的低频带中是否更高。

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    Eric、您好!

    请让我们在星期一之前就这一问题提供一些反馈、因为今天是美国假期。

    此致!
    Michael

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    Eric、您好!  

    通常、我们建议将推挽式拓扑(如 SN6505或 SN6501)用于低噪声和低成本架构。  

    此致!
    Andrew

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