[参考译文] SN74HCU04：线性偏置中的输入电容

您好，Cedrick，

我担心这不是我们对这款设备的描述。

数据表中给出的输入电容最有可能在典型的工作条件下测量，在输入处为零偏差，并使用10 MHz 信号进行测量。 我无法完全确定，因为它是很久以前完成的，但这是我们使用的一种常见方法。

假设这是正确的，则输入 FET 位于饱和工作区域，因此将在大约2/3的“栅电容总电容”下工作—— 当设备如您所述偏置时，FET 将位于非饱和运行区域，因此预计将达到“栅电容总量”的1/2。 我在这里转述的这本书是 John P. Uyemura 著的《CMOS 逻辑电路设计》，第27页。  

因此，考虑到 HCU04的典型输入电容为3pF (来自 DS)，我们可以计算线性区域电容的典型值为2.25pF，因为这些值并不完全准确，所以我将舍入到2pF。

所有 MOSFET 都具有此效果： en.wikipedia.org/wiki/Capacitance-voltage_profiling#C-V_characteristics_metal-oxide-semiconductor_structure。 但它只在低频率(红色曲线)下发生，因此对大多数逻辑设备来说无关紧要。

我希望 CD 和 SN 设备的行为几乎完全相同，即它们可以互相替换。

如果您正在设计新主板，请考虑使用 SN74LVC1GX04等设备。