主题中讨论的其它部件:SN74AUP1G17,, SN74LVC1G3157, SN74AUP1G14, SN74AUP2G17
您好,
我想使用通电开关,所以请看数据表,看看SN74AUP1G17 (缓冲器)和SN74AUP1G74 (触发开关)。
我想知道此电路是否已维护(通电) Q=H, 请确认此电路是否正确。
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您好,
我想使用通电开关,所以请看数据表,看看SN74AUP1G17 (缓冲器)和SN74AUP1G74 (触发开关)。
我想知道此电路是否已维护(通电) Q=H, 请确认此电路是否正确。
这与SN74AUP1G74数据表的图5有点相似。
R39不是真正需要的;输入可以直接连接到输出。
为什么R40为零? n ü C̅L̅R̅ 输入端的信号必须缓慢上升,以确保设备在启动时看到低电平。 使用10 kΩ 或更低。
否则,此电路看起来正常。 开机和每次松开按钮都会产生上升的CLK边缘,这将反转触发开关的状态。 R40/C12必须比R20/C10快,以确保在初始时钟边缘之前清除触发器。
您好,Wooyong,
为避免混淆,Clemens所说的一切都是正确的,但我必须提供TI的建议,以避免CMOS输入的边缘变慢。
我建议对该电路进行一些更改。
通过使用此电路,可以改进前端的去抖电路:
我将删除R49,因为它将把按钮的慢速和嘈杂输入直接提供给SN74AUP1G74的CMOS CLK输入,这可能会造成损坏(请参阅 慢速或浮动CMOS输入的影响)。
U6-NCLR上的RC电路存在前面提到的相同问题-它将对CMOS输入直接施加慢速边缘。 TI解决此问题的建议是在RC电路和NCLR引脚之间放置施密特触发器缓冲器(如SN74AUP1G17)。 这将在系统启动时仍允许强制清除,但消除了CMOS输入边缘缓慢的问题。
感谢您的回复。
下面我修改了另一个版本, 对吗?
我希望 第一个按钮 是 Y=High(Mainte), Q9打开, Q5打开, VCC_3V3 = VCC_MCU_3V3
第二个按钮 是Y=Low(Mainte),Q9 Turn Off, Q5 Turn Off, VCC_3V3 Not Connected VCC_MCU_3V3
我可以使用施密特触发反向器吗? 请推荐使用低功耗施密特触发反向器
[图1]
或
如下所示
对于 [第一个按钮 是 Q=High(Mainte), Q9打开, Q5打开, VCC_3V3 = VCC_MCU_3V3
第二个按钮 是Q=Low(Mainte),Q9 Turn Off, Q5 Turn Off, VCC_3V3 Not Connected VCC_MCU_3V3]
我交换PRE和CLR 。 对吗?
[图2]
谢谢你,先生
[图2]第二个选项 是否与此类似?
[在第一次按下按钮时,SN74AUP1G74的Q为高(保持高)
然后第二次按下按钮,SN74AUP1G74的Q信号为低(保持低)
然后每次按下按钮后,将切换输出]
[图2]第二个选项和[图1]第一个选项的结果是否相同?
图2第二个选项是否有变化?
P.s)图2第二个选项更改如下
1.tact SW连接到VCC (非GND),用于恢复电路以使用缓冲器