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[参考译文] SN74LVC2G14-Q1:VIH &放大器;计算 VIL 最小值和最大值

Guru**** 1178510 points
Other Parts Discussed in Thread: SN74LVC2G14-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/logic-group/logic/f/logic-forum/953917/sn74lvc2g14-q1-vih-vil-minimum-and-maximum-value-calculate

器件型号:SN74LVC2G14-Q1

您好!

我将 IC 用于张弛振荡器、我想计算我的电路的容差。  

工作温度为-40度至125度

运行 VCC = 4.9V 至5.1V、  

那么、温度与 VIH 和 VIL 之间是否存在任何公式或曲线关系?

最小值和最大值的定义是什么? VCC 容差或温度

我的计算结果显示、在-40度至85度和-40度至125度的最小值中有相同的值

因此、我假设最小值为-40度、最大值为85度和125度、并使用内插来获得不同 VCC 中的对应值

感谢您的申请。

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    温度变化以类似的方式影响输入中的两个互补晶体管、因此我想阈值容差主要由制造变化决定。 换言之:您将无法获得更严格的容差。

    此类逻辑器件旨在处理数字信号(施密特触发器处理具有慢速边沿的数字信号)。 如果您需要任何开关阈值(或其迟滞)精度、则需要改用比较器。

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    Clemens 

    我有另一个问题、

    我加热施密特触发器以查看 VIH 和 VIL 变化、

    当温度变高时,VIH 和 VIL 将变大,

    那么、这可以支持该假设

    当温度较高时、VIH 和 VIL =>更大 =>最大值

    当温度较低时、VIH 和 VIL =>更小=>最小值

    感谢您的申请

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    MOSFET 的 RDS (on)随温度的升高而增加。 显然、在您的器件中、N 沟道和 P 沟道晶体管受到不同数量的影响(可能与 PCH 的更大尺寸有关)、但 TI 不会以任何方式保证这一点。 您可以尝试测量这种影响、但您不知道未来器件会在多大程度上偏离您的测量结果。

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    Clemens Ladisch、您好、

    SNx4LS14的数据表中提供了一些信息、
    有温度与 VIH 和 VIL 的关系曲线、

    那么、这是否与 VIH 和 VIL 的 SN74lVC2G14-Q1特性相似?
    或者,TI 可能具有曲线,但数据表中没有显示该曲线,它可以提供该曲线吗?
    感谢您的申请

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    LS 系列基于 BJT、具有完全不同的输入结构。

    显然、TI 不会为 CMOS 器件提供此信息。